IRFU120N

Micros part number: TIRFU120n
Package: TO251 (IPACK)
N-MOSFET 9.4A 100V 48W 0.21Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 210mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFU120N RoHS Package: TO251 (IPACK)   In stock: 45 pcs.
Quantity 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Net price (PLN) 2,5100 1,8600 1,3800 1,1800 1,0900
Add to comparison tool
Standard packaging:
75
Rezystancja otwartego kanału: 210mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Montaż: THT