IRFU320

Micros part number: TIRFU320
Package: TO251 (IPACK)
N-MOSFET HEXFET 400V 3,1A 42W 1,80Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 1,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,1A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Vishay Manufacturer part number: IRFU320 RoHS Package: TO251 (IPACK)  
In stock:
55 pcs.
Quantity 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Net price (PLN) 2,7400 2,0300 1,5000 1,2900 1,1900
Add to comparison tool
Standard packaging:
75
Rezystancja otwartego kanału: 1,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,1A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT