IRLD120

Micros part number: TIRLD120
Package: PDIP04HVMDIP
N-MOSFET 100V 1.3A 1.3W 0.27Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Siliconix Manufacturer part number: IRLD120 RoHS Package: PDIP04HVMDIP   In stock: 100 pcs.
Quantity 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Net price (PLN) 2,9700 1,8600 1,5500 1,3800 1,2900
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT