IRLL024Z

Micros part number: TIRLL024z
Package: SOT223
N-MOSFET HEXFET 55V 5A 1W 0.06Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 57,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,1A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IRLL024ZTRPBF RoHS Package: SOT223t/r  
In stock:
1145 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 2,3000 1,3900 1,0700 0,9650 0,9180
Add to comparison tool
Standard packaging:
2500
Rezystancja otwartego kanału: 57,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,1A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD