IRLL2703

Micros part number: TIRLL2703
Package: SOT223
N-MOSFET HEXFET 30V 3.9A 1W 0.045Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRLL2703TR RoHS Package: SOT223t/r   In stock: 79 pcs.
Quantity 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 2,5000 1,3900 1,0900 1,0300 0,9980
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,5A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD