IRLL3303

Micros part number: TIRLL3303
Package: SOT223
N-MOSFET HEXFET 30V 4.6A 1W 0.031Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,5A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRLL3303 RoHS Package: SOT223t/r   In stock: 100 pcs.
Quantity 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Net price (PLN) 2,8100 1,7600 1,4600 1,3000 1,2200
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 45mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,5A
Maksymalna tracona moc: 2,1W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD