IRLR110 smd

Micros part number: TIRLR110
Package: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 4.3A 100V 25W 0.54Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 540 mOhm
Prąd drenu: 4,3A
Moc (W): 25W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Siliconix Manufacturer part number: IRLR110 RoHS Package: TO252 (DPACK) In stock: 300 pcs.
Quantity 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Net price (PLN) 2,1300 1,2900 0,9550 0,8800 0,8500
Add to comparison tool
Standard packaging:
75/300
Rezystancja drenu (Rds on): 540 mOhm
Prąd drenu: 4,3A
Moc (W): 25W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny