IRLU120N

Micros part number: TIRLU120n
Package: TO251 (IPACK)
N-MOSFET 10A 100V 48W
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 265mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRLU120N RoHS Package: TO251 (IPACK)   In stock: 150 pcs.
Quantity 2+ 10+ 75+ 150+ 750+
Net price (PLN) 2,4200 1,5300 1,1600 1,1100 1,0500
Add to comparison tool
Standard packaging:
75/150
Rezystancja otwartego kanału: 265mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT