MJ11015

Micros part number: TMJ11015
Package: TO 3
darl.PNP 30A 120V 200W 4MHz
Parameters
Moc (W): 200W
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Prąd kolektora ( Ic): 30A
Obudowa: TO 3
Napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: MJ11015G RoHS Package: TO 3 In stock: 10 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
Net price (PLN) 29,1600 24,7600 22,0500 20,2600 19,8400
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Moc (W): 200W
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Prąd kolektora ( Ic): 30A
Obudowa: TO 3
Napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP