FJP13009

Micros part number: TMJE13009 fai
Package: TO220
NPN 12A 400V 2W 4MHz
Parameters
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Moc strat (PD): 100W
Obudowa: TO220
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 28
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 12A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: FJP13009H2TU RoHS Package: TO220 In stock: 440 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 3,8200 2,4200 1,9100 1,7400 1,6600
Add to comparison tool
Standard packaging:
50/1000
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Moc strat (PD): 100W
Obudowa: TO220
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 28
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 12A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Temperatura pracy zakres: -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN