MMBF170 LGE

Micros part number: TMMBF170 c
Package: SOT23
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 5 Ohm
Prąd drenu: 500mA
Moc (W): 0,3W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 60V
Producent: LGE
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: LGE Manufacturer part number: MMBF170 RoHS Package: SOT23t/r In stock: 0 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,5070 0,2330 0,1270 0,0947 0,0845
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
  Pozycja dostępna na zamówienie Ask about product
Rezystancja drenu (Rds on): 5 Ohm
Prąd drenu: 500mA
Moc (W): 0,3W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 60V
Producent: LGE
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny