MMBF170 LGE
Micros part number: TMMBF170 c
Package: SOT23
Parameters
| Rezystancja drenu (Rds on): | 5 Ohm |
| Prąd drenu: | 500mA |
| Moc (W): | 0,3W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Napięcie dren-źródło [Uds]: | 60V |
| Producent: | LGE |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Manufacturer:: LGE
Manufacturer part number: MMBF170 RoHS
Package: SOT23t/r
In stock: 0 pcs.
| Quantity | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 0,5070 | 0,2330 | 0,1270 | 0,0947 | 0,0845 |
Pozycja dostępna na zamówienie
Ask about product
| Rezystancja drenu (Rds on): | 5 Ohm |
| Prąd drenu: | 500mA |
| Moc (W): | 0,3W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Napięcie dren-źródło [Uds]: | 60V |
| Producent: | LGE |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy zakres: | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
| Polaryzacja: | unipolarny |
