MMBFJ111

Micros part number: TMMBFJ111
Package: SOT23
N-JFET 50mA 35V 350mW (=PMBFJ111)
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 30Ohm
Maksymalny prąd drenu: 20mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 35V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: N-JFET
Manufacturer:: Fairchild Manufacturer part number: MMBFJ111 RoHS Package: SOT23t/r   In stock: 2640 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,8600 0,4360 0,2640 0,2090 0,1910
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 30Ohm
Maksymalny prąd drenu: 20mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 35V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: N-JFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 35V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD