MMBT2222LT1G

Micros part number: TMMBT2222
Package: SOT23-3
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23
Parameters
Moc strat (PD): 300mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 600mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
 
 
Item in delivery
Planowany termin:
2022-12-31
Quantity of pieces: 3000
Moc strat (PD): 300mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 600mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN