MMBT5551M3T5G

Micros part number: TMMBT5551m3
Package: SOT723
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723
Parameters
Moc strat (PD): 640mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT723
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 60mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: MMBT5551M3T5G RoHS Package: SOT723 In stock: 90 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,0800 0,5410 0,3220 0,2670 0,2400
Add to comparison tool

Standard packaging:
100
Moc strat (PD): 640mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT723
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 60mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 160V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN