MUN5211T1G ON Semiconductor

Micros part number: TMUN5211t1g
Package: SC70-3
NPN 100mA 50V 202mW
Parameters
Moc strat (PD): 310mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: MUN5211T1G RoHS Package: SC70-3 t/r   In stock: 2948 pcs.
Quantity 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Net price (PLN) 0,4700 0,1850 0,1080 0,0791 0,0723
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Moc strat (PD): 310mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN