NTD2955-1G

Micros part number: TNTD2955-1g
Package: TO251 (IPACK)
P-MOSFET 12A 60V 55W NTD2955T4G, NTD2955G
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 180mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 55W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: NTD2955-1G RoHS Package: TO251 (IPACK)  
In stock:
200 pcs.
Quantity 2+ 10+ 75+ 150+ 750+
Net price (PLN) 3,2200 2,0400 1,5500 1,4800 1,4000
Add to comparison tool
Standard packaging:
75/150
Rezystancja otwartego kanału: 180mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 55W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT