PDTB113ZT NXP

Micros part number: TPDTB113zt
Package: SOT23-3
PNP 50V 0.5A 250mW
Parameters
Moc strat (PD): 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Producent: NXP
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: PDTB113ZT RoHS Package: SOT23-3 t/r   In stock: 150 pcs.
Quantity 5+ 40+ 250+ 1000+ 5000+
Net price (PLN) 0,9350 0,3340 0,2100 0,1810 0,1700
Add to comparison tool
Standard packaging:
250
Moc strat (PD): 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Producent: NXP
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP