PMBF170

Micros part number: TPMBF170
Package: SOT23
N-MOSFET 300mA 60V 830mW
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 5,3Ohm
Prąd drenu: 300mA
Moc (W): 830mW
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 60V
Producent: NXP
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: PMBF170 RoHS Package: SOT23t/r In stock: 3000 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,5890 0,2800 0,1570 0,1190 0,1070
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Rezystancja drenu (Rds on): 5,3Ohm
Prąd drenu: 300mA
Moc (W): 830mW
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 60V
Producent: NXP
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -65°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny