PMBF170
Micros part number: TPMBF170
Package: SOT23
N-MOSFET 300mA 60V 830mW
Parameters
| Rezystancja drenu (Rds on): | 5,3Ohm |
| Prąd drenu: | 300mA |
| Moc (W): | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Napięcie dren-źródło [Uds]: | 60V |
| Producent: | NXP |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Manufacturer:: NXP
Manufacturer part number: PMBF170 RoHS
Package: SOT23t/r
In stock: 3000 pcs.
| Quantity | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 0,5890 | 0,2800 | 0,1570 | 0,1190 | 0,1070 |
| Rezystancja drenu (Rds on): | 5,3Ohm |
| Prąd drenu: | 300mA |
| Moc (W): | 830mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Napięcie dren-źródło [Uds]: | 60V |
| Producent: | NXP |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy zakres: | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
| Polaryzacja: | unipolarny |
