PMGD400UN SOT363

Micros part number: TPMGD400un
Package: SOT363
2N-MOSFET 710mA 30V 410mW Obsolete
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,83Ohm
Prąd drenu: 710mA
Moc (W): 410mW
Obudowa: SOT363
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: NXP
Typ tranzystora: 2N-MOSFET
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: PMGD400UN RoHS Package: SOT363 t/r In stock: 504 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Net price (PLN) 1,5000 0,8290 0,6540 0,5940 0,5750
Add to comparison tool
Standard packaging:
500
Rezystancja drenu (Rds on): 0,83Ohm
Prąd drenu: 710mA
Moc (W): 410mW
Obudowa: SOT363
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: NXP
Typ tranzystora: 2N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny