PMV45EN2R

Micros part number: TPMV45e
Package: SOT23-3
Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 3-Pin TO-236AB
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 42 mOhm
Prąd drenu: 5,1A
Moc (W): 510mW
Obudowa: SOT23-3
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: NXP
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: PMV45EN2R RoHS Package: SOT23t/r In stock: 100 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,3300 0,7260 0,4760 0,4110 0,3790
Add to comparison tool

Standard packaging:
100
Rezystancja drenu (Rds on): 42 mOhm
Prąd drenu: 5,1A
Moc (W): 510mW
Obudowa: SOT23-3
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Producent: NXP
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny