PUMB10

Micros part number: TPUMB10
Package: SOT363
2xPNP 100mA 50V 300mW 180MHz +res. 2.2k+47k
Parameters
Moc strat (PD): 300mW
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: NXP
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: PUMB10 RoHS Package: SOT363 t/r   In stock: 2490 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,5850 0,2680 0,1460 0,1090 0,0975
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Moc strat (PD): 300mW
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: NXP
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xPNP