PUMD30 NEXPERIA

Micros part number: TPUMD30
Package: SOT363
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP PUMD30,115
Parameters
Moc strat (PD): 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Producent: NXP
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: PUMD30,115 RoHS Package: SOT363 t/r In stock: 100 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 0,9030 0,4940 0,3240 0,2800 0,2580
Add to comparison tool

Standard packaging:
100
Moc strat (PD): 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Producent: NXP
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP