SI1902DL-T1-E3

Micros part number: TSI1902dl
Package: SC70-6
2N-MOSFET 20V 660mA 270mW
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 630mOhm
Maksymalny prąd drenu: 660mA
Maksymalna tracona moc: 270mW
Obudowa: SC70-6
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Manufacturer:: Vishay Manufacturer part number: SI1902DL-T1-E3 RoHS Package: SC70-6 t/r   In stock: 100 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,1100 0,6090 0,3990 0,3450 0,3180
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 630mOhm
Maksymalny prąd drenu: 660mA
Maksymalna tracona moc: 270mW
Obudowa: SC70-6
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Montaż: SMD