SI2305CDS Vishay

Micros part number: TSI2305cds
Package: SOT23
P-MOSFET 8V 5.8A 1.7W 35mΩ
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,065 Ohm
Prąd drenu: 5,8A
Moc (W): 1,7W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 8V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Vishay Manufacturer part number: SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Package: SOT23t/r In stock: 3000 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,1800 0,6250 0,4840 0,4470 0,4280
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Rezystancja drenu (Rds on): 0,065 Ohm
Prąd drenu: 5,8A
Moc (W): 1,7W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 8V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny