SI2305DS
Micros part number: TSI2305ds
Package: SOT23
P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω
Parameters
| Rezystancja otwartego kanału: | 108mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 8V |
| Producent: | VISHAY |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Manufacturer:: Vishay
Manufacturer part number: SI2305DS RoHS
Package: SOT23t/r
In stock:
186 pcs.
| Quantity | 3+ | 10+ | 20+ | 50+ | 186+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 1,3400 | 0,8350 | 0,6840 | 0,5680 | 0,4880 |
Manufacturer:: Vishay
Manufacturer part number: SI2305CDS-T1-GE3 RoHS
Package: SOT23t/r
In stock:
255 pcs.
| Quantity | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 1,3400 | 0,8590 | 0,6040 | 0,5130 | 0,4880 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 108mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 8V |
| Producent: | VISHAY |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
