SI2305DS

Micros part number: TSI2305ds
Package: SOT23
P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 108mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 8V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Vishay Manufacturer part number: SI2305DS RoHS Package: SOT23t/r  
In stock:
186 pcs.
Quantity 3+ 10+ 20+ 50+ 186+
Net price (PLN) 1,3400 0,8350 0,6840 0,5680 0,4880
Add to comparison tool
Standard packaging:
186
Manufacturer:: Vishay Manufacturer part number: SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Package: SOT23t/r  
In stock:
255 pcs.
Quantity 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Net price (PLN) 1,3400 0,8590 0,6040 0,5130 0,4880
Add to comparison tool
Standard packaging:
300
Rezystancja otwartego kanału: 108mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 8V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD