SI2333DDS-T1-GE3 Vishay

Micros part number: TSI2333dds
Package: SOT23
P-MOSFET 12V 6A 1.2W
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,15 Ohm
Prąd drenu: 6A
Moc (W): 1,2W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 12V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: P-MOSFET
Rezystancja drenu (Rds on): 0,15 Ohm
Prąd drenu: 6A
Moc (W): 1,2W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 12V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny