SI4686DY

Micros part number: TSI4686dy
Package: SOP08
N-MOSFET 18.2A 30V 5.2W 0.0095Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18,2A
Maksymalna tracona moc: 5,2W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Siliconix Manufacturer part number: SI4686DY RoHS Package: SOP08t/r   In stock: 45 pcs.
Quantity 2+ 5+ 15+ 45+
Net price (PLN) 2,4800 1,7100 1,2300 0,9900
Add to comparison tool
Standard packaging:
45
Rezystancja otwartego kanału: 14mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18,2A
Maksymalna tracona moc: 5,2W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Montaż: SMD