SIA433EDJ-T1-GE3

Micros part number: TSIA433edj
Package: SC70-6
Trans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,065 Ohm
Prąd drenu: 12A
Moc (W): 19W
Obudowa: SC70-6
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Vishay Manufacturer part number: SIA433EDJ-T1-GE3 RoHS BL. Package: SC70-6 t/r In stock: 100 pcs.
Quantity 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 2,4200 1,3400 1,0600 0,9990 0,9670
Add to comparison tool

Standard packaging:
100
Rezystancja drenu (Rds on): 0,065 Ohm
Prąd drenu: 12A
Moc (W): 19W
Obudowa: SC70-6
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny