SPB20N60S5

Micros part number: TSPB20n60s5
Package: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 20A 600V 208W 0.19Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,19 Ohm
Prąd drenu: 20A
Moc (W): 208W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: Siemens
Typ tranzystora: N-MOSFET
Rezystancja drenu (Rds on): 0,19 Ohm
Prąd drenu: 20A
Moc (W): 208W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: Siemens
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny