SPB80P06P G

Micros part number: TSPB80p06p
Package: TO263 (D2PAK)
P-MOSFET 80A 60V 340W 0.023Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 23 mOhm
Prąd drenu: 80A
Moc (W): 340W
Napięcie dren-źródło [Uds]: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Rezystancja drenu (Rds on): 23 mOhm
Prąd drenu: 80A
Moc (W): 340W
Napięcie dren-źródło [Uds]: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET