SPD07N60C3

Micros part number: TSPD07n60c3
Package: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 7.3A 650V 83W 0.60Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 1,46Ohm
Maksymalny prąd drenu: 7,3A
Maksymalna tracona moc: 83W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: SPD07N60C3 RoHS Package: TO252 (DPACK) t/r   In stock: 50 pcs.
Quantity 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Net price (PLN) 5,0500 3,5400 3,0100 2,7500 2,6600
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 1,46Ohm
Maksymalny prąd drenu: 7,3A
Maksymalna tracona moc: 83W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD