TSPW20n60s5

Micros part number: TSPW20n60s5
Package: TO247
N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,19 Ohm
Prąd drenu: 2A
Moc (W): 208W
Obudowa: TO247
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Rezystancja drenu (Rds on): 0,19 Ohm
Prąd drenu: 2A
Moc (W): 208W
Obudowa: TO247
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: THT
Polaryzacja: unipolarny