STD1NK60-1

Micros part number: TSTD1NK60-1
Package: TO262 (I2PAK)
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 8,5 Ohm
Prąd drenu: 1A
Moc (W): 30W
Obudowa: TO262 (I2PAK)
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: STMicroelectronics
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ST Manufacturer part number: STD1NK60-1 RoHS Package: TO262 (I2PAK) In stock: 50 pcs.
Quantity 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 1,8100 1,1800 0,8480 0,7420 0,6950
Add to comparison tool

Standard packaging:
50
Rezystancja drenu (Rds on): 8,5 Ohm
Prąd drenu: 1A
Moc (W): 30W
Obudowa: TO262 (I2PAK)
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: STMicroelectronics
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT
Polaryzacja: unipolarny