STP8NK100Z

Micros part number: TSTP8NK100Z
Package: TO220
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 1,85 Ohm
Prąd drenu: 6,5A
Moc (W): 160W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 1000V
Producent: STMicroelectronics
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ST Manufacturer part number: STP8NK100Z RoHS Package: TO220 In stock: 85 pcs.
Quantity 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Net price (PLN) 6,8000 5,0400 4,2000 4,1000 4,0000
Add to comparison tool
Standard packaging:
50/100
Rezystancja drenu (Rds on): 1,85 Ohm
Prąd drenu: 6,5A
Moc (W): 160W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 1000V
Producent: STMicroelectronics
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: THT
Polaryzacja: unipolarny