STW11NM80

Micros part number: TSTW11NM80
Package: TO 3P
N-MOSFET 11A 800V 150W 0.4Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO 3P
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Producent: STMicroelectronics
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ST Manufacturer part number: STW11NM80 RoHS Package: TO 3P  
In stock:
30 pcs.
Quantity 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Net price (PLN) 10,6400 8,1700 7,1000 6,7300 6,6500
Add to comparison tool
Standard packaging:
30
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO 3P
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Producent: STMicroelectronics
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: THT