TIP141-S

Micros part number: TTIP141
Package: TO218
NPN darl. 10A 100V 125W
Parameters
Moc strat (PD): 125W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Obudowa: TO218
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: TIP141G RoHS Package: TO218  
In stock:
30 pcs.
Quantity 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Net price (PLN) 7,9100 5,8600 5,0000 4,7100 4,6500
Add to comparison tool
Standard packaging:
30
Moc strat (PD): 125W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Obudowa: TO218
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalny prąd kolektora: 10A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN