Transistors (results: 9902)
Product | Cart |
Open channel resistance
|
Max. drain current
|
Max. power loss
|
Case
|
Manufacturer
|
Power dissipation
|
Current gain factor
|
Cutoff frequency
|
Gate charge
|
Max. dissipated power
|
Max. drain-source voltage
|
Max. collector current
|
Max collector-emmiter voltage
|
Max. collector current
|
Max collector current (impulse)
|
Forvard volatge [Vgeth]
|
Transistor type
|
Max. drain-gate voltage
|
Operating temperature (range)
|
Max. gate-source Voltage
|
Mounting
|
Collector-emitter voltage
|
Gate-emitter voltage
|
Transistor circuits [Y/N]
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN1R8-30PL,127 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN2R7-30BL,118 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA
Transistor MOSFET, TN-channel 100 V, 3.95 mOhm, D2PAK
|
||||||||||||||||||||||||||
10,7mOhm | 120A | 405W | TO263 (D2PAK) | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN4R3-30BL,118 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
PSMN8R7-80PS,127 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
KSA1220A
PNP,200mA,160V,1.2W, 175MHz Complement to KSC2690/KSC2690A
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
TO126 | ON SEMICONDUCTOR | 1,2W | 320 | 175MHz | 1,2A | 160V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
Item in delivery
Estimated time: 2026-01-20
Quantity of pieces: 300
|
|||||||||||||||||||||||||
RD01MUS2B-T113
Transistor Mitsubishi
|
||||||||||||||||||||||||||
600mA | 3,6W | SOT89 | Mitsubishi Electric | 25V | N-MOSFET | -40°C ~ 125°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
RFD14N05L
N-MOSFET 14A 50V 48W 0.1Ω
|
||||||||||||||||||||||||||
100mOhm | 14A | 48W | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 50V | N-MOSFET | 50V | -55°C ~ 175°C | 10V | THT | ||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
LGE18N50F LGE
Substitute: BXP18N50F; LGE18N50F; YFW13N50AF;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
LGE2N65D TO252 LGE
Substitute: BXP2N65D; LGE2N65D; YFW2N65AD;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
LND150K1-G
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
LND150N3-G
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92
|
||||||||||||||||||||||||||
TO92 | Supertex | 740mW | 30mA | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
LP395Z
NPN 36V 100mA
|
||||||||||||||||||||||||||
TO92 | Texas Instruments | 100mA | 36V | NPN | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
LPSC2301
20V 2A 110mOhm@4.5V,2A 780mW P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS BSS83P;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
M8050 SOT23
0.2W 800mA NPN Bipolar Trans.
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23 | ElecSuper | 200mW | 400 | 150MHz | 800mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
MBT3904DW1T1G
40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS LRC LMBT3904DW1T1G;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT363 | FUXINSEMI | 200mW | 300 | 300MHz | 200mA | 40V | 2xNPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
RSR020P05HZGTL
PCH -45V -2A SMALL SIGNAL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD253T4G
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD31C CDIL
Tranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
TO252 | LGE | 1,25W | 50 | 3MHz | 3A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
Item in delivery
Estimated time: 2025-10-30
Quantity of pieces: 500
|
|||||||||||||||||||||||||
MJD41CJ Nexperia USA Inc.
MJD41C/SOT428/DPAK transistors - bipolar (bjt) - single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
MJE13005
Transistor; bipolar; MJE13005; NPN; 4A; 400V; 60W; 4 MHz; TO220; ST13005; MJE13005; 3DD13005ED-220C; YFW13005AT; MJE13005L-B-TA3-T; 3DD13005ND66; 3DD13005MD-220; MJE13005; MBR13005DA; ST13005;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
YFW13005AT
Transistor NPN; Bipolar; 700V; 9V; 35; 4MHz; 4A; 2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO220 | YFW | 2W | 35 | 4MHz | 4A | 700V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
MJE15030G ON Semiconductor
NPN 150V 8A 50W 30MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | 2W | 40 | 30MHz | 8A | 150V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
MJE270G
NPN 2A 100V 1500mW
|
||||||||||||||||||||||||||
NPN | ||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
SI1026X-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
SI2307BDS-T1-E3 Vishay
P-MOSFET 30V 2.5A 78mΩ 750mW
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
SI1902DL-T1-E3
2N-MOSFET 20V 660mA 270mW
|
||||||||||||||||||||||||||
630mOhm | 660mA | 270mW | SC70-6 | VISHAY | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
SI2302A-TP
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
SI2306-TP
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 20A; 620mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
65mOhm | 20A | 620mW | SOT23 | MCC | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Item available on a request
|