Transistoren (Ergebnisse: 9634)

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Transistorsysteme [J/N]
2SC4793 Transistor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementär zu 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793-O;
Micros Symbol: T2SC4793 Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC4793-O RoHS || 2SC4793 RoHS || 2SC4793 TO220iso
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JSMSEMI Hersteller-Teilenummer:
2SC4793-O RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,7652 0,4821 0,3791 0,3487 0,3323
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50/150
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TO220iso 2W 320 100MHz 1A 230V NPN -55°C ~ 150°C
 
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OSEN Hersteller-Teilenummer:
2SC4793 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
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80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4470 0,2714 0,2085 0,1881 0,1790
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50
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TO220iso 2W 320 100MHz 1A 230V NPN -55°C ~ 150°C
BSP129H6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 20 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
Micros Symbol: TBSP129 Infos
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BSP129H6327XTSA1 RoHS || BSP129H6327XTSA1 SOT223-3
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-3 t/r
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8939 0,5944 0,4914 0,4446 0,4259
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1000
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20Ohm 350mA 1,8W SOT223-3 Infineon (IRF) 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
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25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8939 0,5944 0,4914 0,4446 0,4259
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200
Menge (mehrere 1)
20Ohm 350mA 1,8W SOT223-3 Infineon (IRF) 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
CSC4793 Transistor PNP; Bipolar; 320; 230V; 5V; 70MHz; 1A; 20W; -55°C~150°C; Ähnlich: 2SC4793;
Micros Symbol: T2SC4793 CDIL Infos
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CSC4793 RoHS || CSC4793 TO220F
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CDIL Hersteller-Teilenummer:
CSC4793 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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400 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5920 0,3721 0,2925 0,2668 0,2574
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50/500
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TO220F CDIL 20W 320 70MHz 1A 230V PNP -55°C ~ 150°C
BSP135 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
Micros Symbol: TBSP135 Infos
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BSP135H6327XTSA1 RoHS || BSP135 SOT223
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5351 1,1700 0,9688 0,8494 0,8073
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4793 Transistor PNP/NPN; Bipolar; 320; 230V; 5V; 100MHz; 1A; 20W; -55°C~125°C;
Micros Symbol: T2SC4793 OSEN Infos
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2SC4793 RoHS || 2SC4793 TO220F
Hersteller:
OSEN Hersteller-Teilenummer:
2SC4793 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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50 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,4493 0,2925 0,2087 0,1858 0,1729
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50/150
Menge (mehrere 1)
TO220iso OSEN 20W 320 100MHz 1A 230V NPN/PNP -55°C ~ 125°C
BSP170P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Micros Symbol: TBSP170p Infos
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BSP170PH6327 RoHS || BSP170P SOT223
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6201 0,3884 0,3229 0,2878 0,2691
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
300mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP171P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
Micros Symbol: TBSP171 Infos
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BSP171P H6327 RoHS || BSP171P SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171P H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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1530 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6505 0,4119 0,3253 0,2972 0,2831
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
450mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW15N120H3FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3;
Micros Symbol: TIKW15n120h3 Infos
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IKW15N120H3 RoHS || IKW15N120H3FKSA1 RoHS || IKW15N120H3FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW15N120H3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 3,7932 3,2620 3,0538 2,9438 2,9181
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW15N120H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 3,7932 3,2620 3,0538 2,9438 2,9181
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
BSP250 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 3A; 5W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP250.115; BSP250.135;
Micros Symbol: TBSP250 Infos
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BSP250,115 RoHS || BSP250 SOT223
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r  
Auf Lager:
285 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6131 0,3884 0,3065 0,2785 0,2668
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
400mOhm 3A 5W SOT223 NXP 30V P-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
BSP295 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
Micros Symbol: TBSP295 Infos
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BSP295H6327XTSA1 RoHS || BSP295 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5663 0,3580 0,2831 0,2574 0,2457
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
500mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon (IRF) 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW15N120T2 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW15N120T2FKSA1;
Micros Symbol: TIKW15n120t2 Infos
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IKW15N120T2 RoHS || IKW15N120T2 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW15N120T2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,9243 3,4890 3,2269 3,0959 3,0187
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 93nC 235W 30A 60A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
BSP296NH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 800 mOhm; 1,2A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP296NH6433XTMA1;
Micros Symbol: TBSP296N Infos
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BSP296NH6327XTSA1 RoHS || BSP296NH6327XTSA1 SOT223-4
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
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Auf Lager:
1136 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6880 0,4376 0,3440 0,3136 0,2995
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
800mOhm 1,2A 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP297 N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Micros Symbol: TBSP297 Infos
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BSP297 RoHS || BSP297 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6786 0,4259 0,3533 0,3159 0,2948
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
3Ohm 660mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP299H N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
Micros Symbol: TBSP299h Infos
Datenblatt
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BSP299 H6327 RoHS || BSP299H SOT223-4
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP299 H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4462 1,0109 0,8588 0,7863 0,7605
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
4Ohm 400mA 1,8W SOT223-4 Infineon Technologies 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 1,4 Ohm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
Micros Symbol: TBSP315p Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSP315PH6327XTSA1 RoHS || BSP315P SOT223t/r
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP315PH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8494 0,5382 0,4259 0,3861 0,3697
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
1,4Ohm 1,17A 1,8W SOT223t/r Infineon (IRF) 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P JGSEMI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 230 mOhm; 2A; 2W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP315p JGS Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSP315P RoHS || BSP315P JGSEMI SOT223
Hersteller:
JGSEMI Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3580 0,2363 0,1694 0,1451 0,1381
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
230mOhm 2A 2W SOT223 JGSEMI 60V P-MOSFET -55°C ~ 125°C 20V SMD
BSP315P SOT223 TEC P-Channel-MOSFET-Transistor; -60V; +/-20V; 130 mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Ähnlich zu: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP315p TEC Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP315P RoHS || BSP315P SOT223 TEC SOT223
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
493 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5382 0,3416 0,2691 0,2457 0,2340
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Standard-Verpackung:
493
Menge (mehrere 1)
130mOhm -3A 2W SOT223 TECH PUBLIC -60V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1967 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5382 0,3416 0,2691 0,2457 0,2340
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
130mOhm -3A 2W SOT223 TECH PUBLIC -60V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP315p UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
BSP315P RoHS || BSP315P UMW SOT223
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
BSP315P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5569 0,3370 0,2597 0,2335 0,2223
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
95mOhm 1,17A 1,8W SOT223 UMW 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP322P Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
Micros Symbol: TBSP322p Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP322PH6327XTSA1 RoHS || BSP322P Infineon SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP322PH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5125 0,2855 0,2246 0,2118 0,2050
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP372 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP372NH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSP372 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP372N H6327 RoHS || BSP372 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP372N H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5967 0,3744 0,3112 0,2785 0,2597
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP76E6433HUMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 42V; 12V; 200 mOhm; 1,4A; 3,8 W; -40°C~150°C; Äquivalent: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
Micros Symbol: TBSP76 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP76E6433HUMA1 RoHS || BSP76E6433HUMA1 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP76E6433HUMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,5725 1,1653 1,0203 0,9477 0,9243
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
IKW20N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW20N60TFKSA1;
Micros Symbol: TIKW20n60t Infos
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IKW20N60TFKSA1 RoHS || IKW20N60T TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW20N60TFKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,6224 3,0468 2,7004 2,5273 2,4313
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 120nC 166W 40A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
BSP88H6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 15 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSP88h Infos
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BSP88H6327XTSA1 RoHS || BSP88H6327XTSA1 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP88H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4680 0,2597 0,2050 0,1933 0,1872
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP89 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 7,5 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
Micros Symbol: TBSP89 Infos
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BSP89H6327XTSA1 RoHS || BSP89 RoHS || BSP89 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP89H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,4563 0,2995 0,2151 0,1842 0,1753
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP89 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
7 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,4563 0,2995 0,2151 0,1842 0,1753
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC5103TLQ NPN 60V 5A NPN 60V 5A
Micros Symbol: T2SC5103tlq Infos
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2SC5103TLQ RoHS || 2SC5103TLQ TO252
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SC5103TLQ RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,0507 0,7722 0,6201 0,5312 0,5008
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO252 ROHM 1W 270 120MHz 5A 60V NPN -55°C ~ 150°C
BSR606NH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSR606n Infos
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BSR606NH6327XTSA1 RoHS LIs. || BSR606NH6327XTSA1 SC59
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSR606NH6327XTSA1 RoHS LIs. Präzisionsgehäuse:
SC59
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Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 25+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,3955 0,2574 0,2057 0,1685 0,1521
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
90mOhm 2,3A 500mW SC59 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC5171 NPN 2A 180V 20W 200MHz 100
Micros Symbol: T2SC5171 Infos
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TCSC5171 RoHS || 2SC5171 Tosh.2-10R1A
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
TCSC5171 RoHS Präzisionsgehäuse:
Tosh.2-10R1A  
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568 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7699 0,4867 0,3838 0,3510 0,3346
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Standard-Verpackung:
50/1000
Menge (mehrere 1)
Tosh.2-10R1A TOSHIBA 200MHz NPN -55°C ~ 150°C
                                                     
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Geplantes Datum: 2025-10-20
Anzahl der Stücke: 500
                                               
BSR802NL INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSR802NL6327HTSA1;
Micros Symbol: TBSR802nl Infos
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BSR802N L6327 RoHS || BSR802NL INFINEON SC-59
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSR802N L6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4563 0,2527 0,1994 0,1881 0,1821
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
32mOhm 3,7A 500mW SC-59 Infineon (IRF) 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
IKW25N120H3 IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1
Micros Symbol: TIKW25n120h3 Infos
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IKW25N120H3 RoHS || IKW25N120H3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW25N120H3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 4,1864 3,7184 3,4375 3,2995 3,2199
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
BSS119NH6327 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 190mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
Micros Symbol: TBSS119n Infos
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BSS119NH6327XTSA1 RoHS || BSS119NH6327 Infineon SOT23
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSS119NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2540 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2785 0,1537 0,1020 0,0852 0,0793
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
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