Transistoren (Ergebnisse: 9716)

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Transistorsysteme [J/N]
BSH111 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH111BKR; BSH111,235;
Micros Symbol: TBSH111 Infos
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BSH111 RoHS || BSH111BKR || BSH111 SOT23
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH111 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5148 0,3103 0,2374 0,2134 0,2062
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500
Menge (mehrere 1)
8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V N-MOSFET 55V -65°C ~ 150°C 10V SMD
 
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Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH111BKR Präzisionsgehäuse:
SOT23  
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258000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2062
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3000
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20 Euro überschreiten. 		8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V N-MOSFET 55V -65°C ~ 150°C 10V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH111BKR Präzisionsgehäuse:
SOT23  
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33000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2062
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V N-MOSFET 55V -65°C ~ 150°C 10V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH111BKR Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
345000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2062
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		8Ohm 335mA 830mW SOT23 NXP 55V N-MOSFET 55V -65°C ~ 150°C 10V SMD
BSH114 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 1,15 Ohm; 850mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH114.235; BSH114,215; BSH114-VB;
Micros Symbol: TBSH114 Infos
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BSH114,215 RoHS || BSH114 SOT23-3
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH114,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
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63 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 1,0860 0,7170 0,5900 0,5289 0,5172
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20/200
Menge (mehrere 1)
1,15Ohm 850mA 830mW SOT23-3 NXP 100V N-MOSFET 100V -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSH201 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 4,25 Ohm; 300mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH201.215; BSH205.215;
Micros Symbol: TBSH201 Infos
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BSH201,215 RoHS || BSH201,215 || BSH201 SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
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2270 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2727 0,1441 0,1117 0,1030 0,0987
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3000
Menge (mehrere 1)
4,25Ohm 300mA 417mW SOT23-3 NXP 60V P-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
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153000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0987
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		4,25Ohm 300mA 417mW SOT23-3 NXP 60V P-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
141000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0987
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		4,25Ohm 300mA 417mW SOT23-3 NXP 60V P-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
24000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0987
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		4,25Ohm 300mA 417mW SOT23-3 NXP 60V P-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSH202 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 1,35 Ohm; 520mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH202.215;
Micros Symbol: TBSH202 Infos
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BSH202 RoHS || BSH202 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH202 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
130 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2609 0,1676 0,1178 0,1001 0,0952
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300
Menge (mehrere 1)
1,35Ohm 520mA 417mW SOT23 NXP 30V P-MOSFET 30V -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSH203 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 8V; 1,65 Ohm; 470mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH203.215;
Micros Symbol: TBSH203 Infos
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BSH203,215 RoHS WJ. || BSH203,215 || BSH203 SOT23-3
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH203,215 RoHS WJ. Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
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Auf Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2633 0,1441 0,0945 0,0853 0,0752
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
1,65Ohm 470mA 417mW SOT23-3 NXP 30V P-MOSFET 30V -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH203,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
30000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0807
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,65Ohm 470mA 417mW SOT23-3 NXP 30V P-MOSFET 30V -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH203,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
48000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0752
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,65Ohm 470mA 417mW SOT23-3 NXP 30V P-MOSFET 30V -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH203,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
69000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0755
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		1,65Ohm 470mA 417mW SOT23-3 NXP 30V P-MOSFET 30V -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSH205 P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 12V; 8V; 750 mOhm; 750mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH205G2R; BSH205,215; BSH205G2VL; BSH205215;
Micros Symbol: TBSH205 Infos
Datenblatt
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BSH205G2 RoHS || BSH205G2R || BSH205G2VL || BSH205 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH205G2 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
5265 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2609 0,1443 0,0959 0,0799 0,0745
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Menge (mehrere 1)
750mOhm 750mA 417mW SOT23 NXP 12V P-MOSFET 12V -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH205G2R Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
18000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0745
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		750mOhm 750mA 417mW SOT23 NXP 12V P-MOSFET 12V -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH205G2VL Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0745
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		750mOhm 750mA 417mW SOT23 NXP 12V P-MOSFET 12V -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH205G2R Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
60000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0745
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		750mOhm 750mA 417mW SOT23 NXP 12V P-MOSFET 12V -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSL207SPH6327 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL207SPH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSL207sph Infos
Datenblatt
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BSL207SPH6327 Pbf sPA || BSL207SPH6327 TSOP06
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL207SPH6327 Pbf sPA Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
465 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3056 0,1629 0,1269 0,1147 0,1110
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
65mOhm 6A 2W TSOP06 NXP 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSL211SPH6327 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 110mOhm; 4,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL211SPH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSL211sp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSL211SPH6327 RoHS || BSL211SPH6327XTSA1 || BSL211SPH6327 Infineon TSOP06
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL211SPH6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3691 0,2421 0,1735 0,1516 0,1422
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
110mOhm 4,7A 2W TSOP06 Infineon Technologies 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL211SPH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1555
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		110mOhm 4,7A 2W TSOP06 Infineon Technologies 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSL215CH6327 Infineon N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm/280 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000;
Micros Symbol: TBSL215c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSL215CH6327XTSA1 RoHS || BSL215CH6327 RoHS || BSL215CH6327 Infineon TSOP06
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL215CH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4260 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4584 0,2774 0,2130 0,1923 0,1829
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
280mOhm 1,5A 500mW TSOP06 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL215CH6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4584 0,2774 0,2130 0,1923 0,1829
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
280mOhm 1,5A 500mW TSOP06 Infineon Technologies 20V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BSL307SPH6327 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 74 mOhm; 5,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL307SPH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSL307sp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS || BSL307SPH6327XTSA1 || BSL307SPH6327 Infineon TSOP06
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7029 0,4443 0,3503 0,3197 0,3056
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
74mOhm 5,5A 2W TSOP06 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL307SPH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
333000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3056
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		74mOhm 5,5A 2W TSOP06 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSN20 NXP N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSN20.215; BSN20.235;
Micros Symbol: TBSN20 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSN20 RoHS || BSN20 NXP SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSN20 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
2600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2010 0,1020 0,0618 0,0489 0,0447
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
28Ohm 173mA 830mW SOT23 NXP 50V N-MOSFET 50V -65°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4672 JSMICRO NPN-Transistor; 390; 500mW, 50V; 3A; 210MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC4672-R-TP;
Micros Symbol: T2SC4672 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC4672 RoHS || 2SC4672 JSMICRO SOT89
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2SC4672 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1540 0,0616 0,0357 0,0299 0,0280
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 JSMICRO 500mW 390 210MHz 3A 50V NPN -55°C ~ 150°C
2SC4672-R SLKOR NPN-Transistor; 390; 500mW, 50V; 2A; 210MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC4672-R-TP;
Micros Symbol: T2SC4672 SLK Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC4672-R RoHS || 2SC4672-R SLKOR SOT89
Hersteller:
SLKOR Hersteller-Teilenummer:
2SC4672-R RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1798 0,0719 0,0418 0,0348 0,0327
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT89 SLKOR 500mW 390 210MHz 2A 50V NPN -55°C ~ 150°C
BSN20-7 N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSN20-7 Diodes Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSN20-7 RoHS || BSN20-7 || BSN20-7 SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BSN20-7 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2215 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1904 0,0966 0,0585 0,0463 0,0423
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2Ohm 500mA 600mW SOT23 DIODES 50V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BSN20-7 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
285000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0437
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2Ohm 500mA 600mW SOT23 DIODES 50V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSO080P03S Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBSO080p03s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSO080P03S RoHS || BSO080P03S SOP08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSO080P03S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
410 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,1613 0,8134 0,6911 0,6323 0,6112
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
8mOhm 14,9A 2,5W SOP08 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSO080P03S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3893 0,9732 0,8275 0,7569 0,7311
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
1020
Menge (mehrere 1)
8mOhm 14,9A 2,5W SOP08 Infineon Technologies 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
2SC4793 JSMICRO NPN-Transistor; 270; 20W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC4793,F(J; 2SC4793(F,M);
Micros Symbol: T2SC4793 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC4793 RoHS || 2SC4793 JSMICRO TO220iso
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2SC4793 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4654 0,2821 0,2163 0,1951 0,1857
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
TO220iso JSMICRO 20W 270 100MHz 1A 230V NPN -55°C ~ 150°C
BSO220N03MDG INFINEON 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 27mOhm; 7,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSO220N03MDGXUMA1;
Micros Symbol: TBSO220n03mdg Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSO220N03MDG RoHS || BSO220N03MDG INFINEON SOIC08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSO220N03MDG RoHS Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5313 0,2962 0,2330 0,2198 0,2127
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
27mOhm 7,7A 2W SOIC08 Infineon Technologies 30V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4793 Transistor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementär zu 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793-O;
Micros Symbol: T2SC4793 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC4793-O RoHS || 2SC4793 RoHS || 2SC4793 TO220iso
Hersteller:
JSMSEMI Hersteller-Teilenummer:
2SC4793-O RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,7687 0,4843 0,3808 0,3503 0,3338
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Standard-Verpackung:
50/150
Menge (mehrere 1)
TO220iso 2W 320 100MHz 1A 230V NPN -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
OSEN Hersteller-Teilenummer:
2SC4793 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4490 0,2727 0,2095 0,1890 0,1798
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220iso 2W 320 100MHz 1A 230V NPN -55°C ~ 150°C
CSC4793 Transistor PNP; Bipolar; 320; 230V; 5V; 70MHz; 1A; 20W; -55°C~150°C; Ähnlich: 2SC4793;
Micros Symbol: T2SC4793 CDIL Infos
Datenblatt
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CSC4793 RoHS || CSC4793 TO220F
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
CSC4793 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
400 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5407 0,3409 0,2680 0,2421 0,2351
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Standard-Verpackung:
50/500
Menge (mehrere 1)
TO220F CDIL 20W 320 70MHz 1A 230V PNP -55°C ~ 150°C
BSO613SPV G Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 3,44A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSO613SPVGHUMA1; BSO613SPVGXUMA1;
Micros Symbol: TBSO613spv Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BS0613SPV G RoHS || BSO613SPVGXUMA1 || BSO613SPV G Infineon SOIC08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BS0613SPV G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7781 0,4890 0,4067 0,3620 0,3385
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
130mOhm 3,44A 2,5W SOIC08 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSO613SPVGXUMA1 Präzisionsgehäuse:
SOIC08  
Externes Lager:
8426 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3385
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		130mOhm 3,44A 2,5W SOIC08 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC4793 Transistor PNP/NPN; Bipolar; 320; 230V; 5V; 100MHz; 1A; 20W; -55°C~125°C;
Micros Symbol: T2SC4793 OSEN Infos
Datenblatt
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2SC4793 RoHS || 2SC4793 TO220F
Hersteller:
OSEN Hersteller-Teilenummer:
2SC4793 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,4114 0,2680 0,1911 0,1700 0,1582
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Standard-Verpackung:
50/150
Menge (mehrere 1)
TO220iso OSEN 20W 320 100MHz 1A 230V NPN/PNP -55°C ~ 125°C
BSP125 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
Micros Symbol: TBSP125 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP125-L6327 RoHS || BSP125H6433XTMA1 || BSP125 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP125-L6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5336 0,2962 0,2341 0,2207 0,2137
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP125H6433XTMA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2137
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW15N120H3FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3;
Micros Symbol: TIKW15n120h3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW15N120H3FKSA1 RoHS || IKW15N120H3 RoHS || IKW15N120H3FKSA1 || IKW15N120H3FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW15N120H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 3,8105 3,2769 3,0677 2,9572 2,9314
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW15N120H3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 3,8105 3,2769 3,0677 2,9572 2,9314
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW15N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
92 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,6570
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
BSP129H6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 20 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
Micros Symbol: TBSP129 Infos
Datenblatt
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BSP129H6327XTSA1 RoHS || BSP129H6327XTSA1 || BSP129H6327XTSA1 SOT223-3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8980 0,5971 0,4937 0,4466 0,4278
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
20Ohm 350mA 1,8W SOT223-3 Infineon (IRF) 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1755 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8980 0,5971 0,4937 0,4466 0,4278
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
20Ohm 350mA 1,8W SOT223-3 Infineon (IRF) 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-3  
Externes Lager:
84000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4278
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		20Ohm 350mA 1,8W SOT223-3 Infineon (IRF) 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-3  
Externes Lager:
4350 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4278
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		20Ohm 350mA 1,8W SOT223-3 Infineon (IRF) 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP135 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
Micros Symbol: TBSP135 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP135H6327XTSA1 RoHS || BSP135H6327XTSA1 || BSP135 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5421 1,1754 0,9732 0,8533 0,8110
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
2200 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8110
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
207000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8110
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
202000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8110
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		60Ohm 120mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 600V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW15N120T2 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW15N120T2FKSA1;
Micros Symbol: TIKW15n120t2 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IKW15N120T2 RoHS || IKW15N120T2FKSA1 || IKW15N120T2 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW15N120T2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,9422 3,5049 3,2417 3,1100 3,0324
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 93nC 235W 30A 60A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IKW15N120T2FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
182 Stk.
Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,0324
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 93nC 235W 30A 60A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
BSP170P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Micros Symbol: TBSP170p Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP170PH6327 RoHS || BSP170PH6327XTSA1 || BSP170P SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5618 0,3526 0,2938 0,2609 0,2445
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
300mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
6975 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2638
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		300mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
78000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2445
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		300mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
186000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2445
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		300mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP171P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
Micros Symbol: TBSP171 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP171P H6327 RoHS || BSP171PH6327XTSA1 || BSP171P SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171P H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1530 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6535 0,4137 0,3268 0,2985 0,2844
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
450mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
24500 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2844
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		450mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
104000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2844
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		450mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
178000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2844
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		450mOhm 1,9A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP250 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 3A; 5W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP250.115; BSP250.135;
Micros Symbol: TBSP250 Infos
Datenblatt
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BSP250,115 RoHS || BSP250,135 || BSP250,115 || BSP250 SOT223
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r  
Auf Lager:
85 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6159 0,3902 0,3079 0,2797 0,2680
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
400mOhm 3A 5W SOT223 NXP 30V P-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSP250,135 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
8000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2680
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		400mOhm 3A 5W SOT223 NXP 30V P-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
21000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2680
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		400mOhm 3A 5W SOT223 NXP 30V P-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2680
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		400mOhm 3A 5W SOT223 NXP 30V P-MOSFET -65°C ~ 150°C 20V SMD
BSP295 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
Micros Symbol: TBSP295 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP295H6327XTSA1 RoHS || BSP295H6327XTSA1 || BSP295 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5689 0,3597 0,2844 0,2586 0,2468
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
500mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon (IRF) 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
15500 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2699
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		500mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon (IRF) 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
84000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2468
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		500mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon (IRF) 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP295H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
370000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2468
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		500mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon (IRF) 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
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