Transistoren (Ergebnisse: 8525)

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Transistorsysteme [J/N]
NTD5865NLT4G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TNTD5865nl Infos
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NTD5865NLT4G RoHS || NTD5865NLT4G TO252 (DPACK)
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TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
NTD5865NLT4G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r  
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8392 0,5260 0,4371 0,3904 0,3647
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100
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19mOhm 46A 71W TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
NTD5867N Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
Micros Symbol: TNTD5867n c Infos
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NTD5867NLT4G RoHS || NTD5867N TO252
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TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
NTD5867NLT4G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 0,7364 0,4605 0,3670 0,3296 0,3203
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150
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33mOhm 20A 50W TO252 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
NTS4173PT1G P-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 280 mOhm; 1,2A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TNTS4173pt1g Infos
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NTS4173PT1G RoHS || NTS4173PT1G || NTS4173PT1G SOT323
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ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
NTS4173PT1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
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2795 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3132 0,1664 0,1290 0,1190 0,1141
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3000
Menge (mehrere 1)
280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
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ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
NTS4173PT1G Präzisionsgehäuse:
SOT323  
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
NTS4173PT1G Präzisionsgehäuse:
SOT323  
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57000 Stk.
Anzahl der Stücke 1737+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1141
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1
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		280mOhm 1,2A 290mW SOT323 ON SEMICONDUCTOR 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI2301CDS-T1-GE3 P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142 mOhm; 3.1A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
Micros Symbol: TSI2301cds Infos
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SI2301CDS-T1-GE3 RoHS || SI2301CDS-T1-GE3 || SI2301CDS-T1-E3 || SI2301CDS-T1-GE3 SOT23
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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7600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2922 0,1620 0,1078 0,0898 0,0837
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3000
Menge (mehrere 1)
142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2301CDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
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444000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0837
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer:
SI2301CDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
57000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0837
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2301CDS-T1-E3 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
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15000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1060
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		142mOhm 3,1A 1,6W SOT23 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
SI2304DDS N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2304DDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2304dds Infos
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SI2304DDS-T1-GE3 RoHS || SI2304DDS-T1-GE3 || SI2304DDS SOT23
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Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3179 0,1699 0,1323 0,1197 0,1157
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
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216000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1157
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
201000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1157
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
90000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1157
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		60mOhm 3,3A 1,1W SOT23 VISHAY 30V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI2308BDS Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Micros Symbol: TSI2308bds c Infos
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SI2308BDS RoHS E8. || SI2308BDS SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer:
SI2308BDS RoHS E8. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
140 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Preis netto (EUR) 0,2805 0,1788 0,1295 0,1108 0,1022
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
105mOhm 3A 350mW SOT23 TECH PUBLIC 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AS3400 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TSI3400 ANB Infos
Datenblatt
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AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Hersteller:
AnBon Hersteller-Teilenummer:
AS3400 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1774 0,0844 0,0475 0,0360 0,0323
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
51mOhm 5,6A 1,2W SOT23 AnBon 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI4435DDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
Micros Symbol: TSI4435ddy Infos
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SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY-T1-GE3 || SI4435DDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5540 0,3483 0,2875 0,2571 0,2408
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2557
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2408
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
291 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5623
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		35mOhm 11,4A 5W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI4459ADY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI4459ady Infos
Datenblatt
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SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY-T1-GE3 || SI4459ADY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,3114 0,9164 0,7527 0,7013 0,6896
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
7,7mOhm 29A 7,8W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4459ADY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6896
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		7,7mOhm 29A 7,8W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9407BDY P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 4,7A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
Micros Symbol: TSI9407bdy Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY-T1-GE3 || SI9407BDY-T1-E3 || SI9407BDY SOP08
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
14 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7738 0,4862 0,4044 0,3600 0,3366
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
3 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8065 0,5073 0,4208 0,3740 0,3506
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3506
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-E3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3506
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3506
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9433BDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI9433bdy Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3862 1,0566 0,8743 0,7667 0,7293
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
60mOhm 4,5A 1,3W SOP08 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI9926BDY 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
Micros Symbol: TSI9926bdy Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SI9926BDY-T1-E3 RoHS || SI9926BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9926BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7106 0,4488 0,3553 0,3226 0,3086
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
30mOhm 6,2A 1,14W SOP08 VISHAY 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SK3415 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 12V; 180 mOhm; 4,2A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3415;
Micros Symbol: TSK3415 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SK3415 RoHS || SK3415 SHIKUES SC59
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3415 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC59
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2335 0,1181 0,0713 0,0563 0,0519
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
180mOhm 4,2A SC59 SHIKUES 25V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 12V SMD
SKML2402 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
Micros Symbol: TSKML2402 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SKML2402 RoHS || SKML2402 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKML2402 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1936 0,0979 0,0589 0,0465 0,0430
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
80mOhm 2A 700mW SOT23 SHIKUES 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
SKQ50N03BD SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TSKQ50N03bd Infos
Datenblatt
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SKQ50N03BD RoHS || SKQ50N03BD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKQ50N03BD RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN08(3.3x3.3)
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3132 0,2055 0,1473 0,1288 0,1206
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
8mOhm 50A 30W DFN08(3.3x3.3) SHIKUES 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
STF14NM50N N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 320 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTF14NM50n Infos
Datenblatt
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STF14NM50N RoHS || STF14NM50N || STF14NM50N TO220iso
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5849 1,2647 1,0823 0,9725 0,9327
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
1420 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9327
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
2950 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9327
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N Präzisionsgehäuse:
TO220iso  
Externes Lager:
1800 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9327
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STN1HNK60 N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 8,5 Ohm; 400mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTN1HNK60 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STN1HNK60 RoHS || STN1HNK60 || STN1HNK60 SOT223
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,4932 0,2992 0,2300 0,2041 0,1971
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
56000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1971
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
124000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1971
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
820000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1971
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
STW70N60M2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTW70N60M2 Infos
Datenblatt
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STW70N60M2 RoHS || STW70N60M2 || STW70N60M2 TO247
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 7,6278 7,1602 6,8704 6,7207 6,6319
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
2140 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,6319
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,6319
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
950 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,6319
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STW88N65M5 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTW88N65M5 Infos
Datenblatt
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STW88N65M5 RoHS || STW88N65M5 || STW88N65M5 TO247
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Preis netto (EUR) 14,1077 13,2872 13,0838 12,9342 12,8243
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1740 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 12,8243
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
2060 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 12,8243
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1200 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 12,8243
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
SUM90P10-19L-E3 P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: TSUM90P10-19l Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
SUM90P10-19L-E3 RoHS || SUM90P10-19L-E3 || SUM90P10-19L-E3 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
Preis netto (EUR) 3,4667 3,0810 2,8496 2,7351 2,6673
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Standard-Verpackung:
96
Menge (mehrere 1)
21mOhm 90A 375W TO263 (D2PAK) VISHAY 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3 Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
76800 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,6673
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		21mOhm 90A 375W TO263 (D2PAK) VISHAY 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
WPM2015 SOT23 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
Micros Symbol: TWPM2015 c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
WPM2015-3/TR RoHS || WPM2015-HXY RoHS || WPM2015 SOT23 SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-3/TR RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2148 0,1012 0,0563 0,0454 0,0390
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
110mOhm 2,4A 1,1W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-HXY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2251 0,1127 0,0671 0,0556 0,0500
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
110mOhm 2,4A 1,1W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
IRF7401TR N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
Micros Symbol: TIRF7401 c Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
YFW4406AS RoHS || IRF7401TR SOP08
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
Preis netto (EUR) 0,4301 0,2805 0,2074 0,1765 0,1655
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
180
Menge (mehrere 1)
30mOhm 8,7A 2,5W SOP08 UMW 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
Preis netto (EUR) 0,4301 0,2805 0,2074 0,1765 0,1655
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
30mOhm 8,7A 2,5W SOP08 UMW 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
2N6027 PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
Micros Symbol: T2N6027 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N6027G-T92-B RoHS || 2N6027 TO92
Hersteller:
UTC Hersteller-Teilenummer:
2N6027G-T92-B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3623 0,2001 0,1576 0,1459 0,1398
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
150mA 300mW TO92 UTC PUT 40V -50°C ~ 100°C THT
2N3771 Transistor NPN; 60; 150W; 40V; 30A; 200kHz; -65°C ~ 200°C; Transistor NPN; 60; 150W; 40V; 30A; 200kHz; -65°C ~ 200°C;
Micros Symbol: T2N3771 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N3771 RoHS || 2N3771 TO 3
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
2N3771 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,2418 1,7790 1,5896 1,5218 1,4938
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25/100
Menge (mehrere 1)
TO 3 CDIL 150W 60 200kHz 30A 40V NPN -65°C ~ 200°C
2N3772 NPN 20A 60V 150W NPN 20A 60V 150W
Micros Symbol: T2N3772 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N3772G RoHS || 2N3772 || 2N3772 TO 3
Hersteller:
PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer:
2N3772G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3  
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 88+
Preis netto (EUR) 3,9062 3,4691 3,2073 3,0763 3,0039
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
88
Menge (mehrere 1)
TO 3 Inchange Semiconductors 150W 60 200kHz 20A 60V NPN -65°C ~ 200°C
 
Hersteller:
MEAN WELL Hersteller-Teilenummer:
2N3772 Präzisionsgehäuse:
TO 3  
Externes Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,0039
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO 3 Inchange Semiconductors 150W 60 200kHz 20A 60V NPN -65°C ~ 200°C
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
Micros Symbol: T2N7000 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N7000BU RoHS || 2N7000TA || 2N7000-D26Z || 2N7000 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
2N7000BU RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul  
Auf Lager:
350 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2501 0,1328 0,1029 0,0949 0,0909
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Menge (mehrere 1)
9Ohm 200mA 400mW TO92 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
2N7000TA Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
41000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0909
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		9Ohm 200mA 400mW TO92 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
2N7000TA Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
102000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0909
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		9Ohm 200mA 400mW TO92 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
2N7000-D26Z Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
114000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0909
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		9Ohm 200mA 400mW TO92 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
Micros Symbol: T2N7000 f Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE TO92ammoformed
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul  
Auf Lager:
6010 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1403 0,0561 0,0325 0,0271 0,0255
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Standard-Verpackung:
1000/10000
Menge (mehrere 1)
5,3Ohm 200mA 400mW TO92ammoformed 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 6Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7000-LGE;
Micros Symbol: T2N7000 LGE Infos
Datenblatt
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2N7000 RoHS || 2N7000 TO92
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1543 0,0610 0,0351 0,0292 0,0281
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Menge (mehrere 1)
6Ohm 200mA 350mW TO92 LGE 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C THT
2N7002-7-F N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 210mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-13-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z;
Micros Symbol: T2N7002 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002-7-F RoHS || 2N7002-7-F || 2N7002-TP || 2N7002-7-F SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
2N7002-7-F RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
154920 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1045 0,0411 0,0241 0,0176 0,0161
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
13,5Ohm 210mA 540mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
2N7002-7-F Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
2790000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0161
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		13,5Ohm 210mA 540mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer:
2N7002-TP Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
1647000 Stk.
Anzahl der Stücke 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0161
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		13,5Ohm 210mA 540mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
2N7002-7-F Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
3861000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0161
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		13,5Ohm 210mA 540mW SOT23 DIODES 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
2N7002 N-Channel (mit ESD) MOSFET 0,43 A 60 V 4000 m?
Micros Symbol: T2N7002 c Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N7002 RoHS || 2N7002 SOT23
Hersteller:
MIC Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0526 0,0197 0,0105 0,0079 0,0072
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
5Ohm 300mA 830mW SOT-23 MIC 60V N-MOSFET 60V -65°C ~ 150°C 30V SMD
1    5  6  7  8  9  10  11  12  13    285

Transistoren

Feldeffekttransistoren, Bipolartransistoren, IGBT – das sind die Transistoren, die du im Micros-Shop findest. Erfahre, wozu ein Transistor dient und was die einzelnen Typen voneinander unterscheidet. Sieh dir an, warum es sich lohnt, unsere Produkte auszuwählen.

Was ist ein Transistor und wozu dient er?

Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das die Fähigkeit besitzt, elektrische Signale zu verstärken. Das Gerät zeichnet sich durch seine kleinen Abmessungen aus, weshalb Transistoren die früher verwendeten Elektronenröhren ersetzt haben. Man betrachtet das Aufkommen der Transistoren als einen der Hauptfaktoren, die die elektronische Entwicklung in den letzten Jahrzehnten vorangetrieben haben. Dies liegt an der Fähigkeit, Signale mit einem kleinen und relativ einfachen Bauteil erheblich zu verstärken. Aber warum war das so wichtig und wozu wird ein Transistor in der heutigen Elektronik verwendet? Hier einige Beispiele:

  • Er ist ein wesentlicher Bestandteil von Verstärkern;
  • Er dient als Bauelement in Halbleiterspeichern;
  • Er ist an der Signalübertragung beteiligt, z.B. in Spannungsverschiebungs- und Generatoren.

Transistoren und ihre Typen

Die Antwort auf die Frage, wozu ein Transistor dient, ist nicht einfach, solange wir nicht erklären, dass es verschiedene Arten von Transistoren gibt. Im Micros-Shop findest du jeden Transistor, den du benötigst. Wir bieten Geräte für verschiedene Anwendungen an, denn unser Ziel ist es, die Bedürfnisse jedes Kunden zu erfüllen. Wir unterscheiden drei Haupttypen von Transistoren, und Dutzende von Vertretern jeder dieser Kategorien findest du in den entsprechenden Produktkategorien in unserem Shop:

  • Feldeffekttransistoren
  • Bipolartransistoren
  • IGBT

Der Feldeffekttransistor kann als die klassischste Version des Transistors betrachtet werden. Diese Erfindung ist fast 100 Jahre alt, aber immer noch äußerst nützlich. Es handelt sich um ein Gerät, das aus einer einzigen Halbleiterschicht besteht, wobei der Strom durch das elektrische Feld gesteuert wird.

Bipolartransistoren, die wir ebenfalls anbieten, bestehen aus drei Halbleiterschichten, wobei jede eine andere Art von Halbleitern darstellt. Der IGBT ist eine Variante des Bipolartransistors, die zusätzlich mit einem isolierten Gate ausgestattet ist.

Transistoren in unserem Angebot

Unser Angebot umfasst Transistoren für alle Anwendungen. Wir bieten zahlreiche Feldeffekttransistoren, auch unipolare Transistoren genannt, die für integrierte Schaltungen oder Schalter unverzichtbar sind. Wenn du Teile für Stromverstärker benötigst, wähle unsere Bipolartransistoren. Die benötigten Teile für Photovoltaikanlagen findest du in der Kategorie der IGBT-Transistoren.

Alle unsere Produkte stammen von zuverlässigen Herstellern. Unter unseren Transistorlieferanten findest du Marken wie: NXP, Hottech, Infineon und Born. Bevor wir ein Produkt zum Verkauf freigeben, überprüfen wir den Transistor. Alles, um sicherzustellen, dass der Kunde qualitativ hochwertige und voll funktionsfähige Geräte erhält.