Transistoren (Ergebnisse: 10401)
| Produkt | Warenkorb |
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
Verlustleistung
|
Stromverstärkungsfaktor
|
Gate-Ladung
|
Grenzfrequenz
|
Maximale Verlustleistung
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Max. Kollektor-Strom [A]
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Max. Kollektor-Strom
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Transistor-Typ
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Montage
|
Gate - Emitter Spannung
|
Transistorsysteme [J/N]
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC817W-QX
Transistor PREBIAS NPN/PNP Transistor PREBIAS NPN/PNP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IRGP20B120UD-EP
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 40A; 120A; 300W; 4,0V~6,0V; 254nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO247AD
|
TO247AD | International Rectifier | 254nC | 300W | 120A | 40A | 4,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | 1200V | THT | 20V | |||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDD8896 ON Semiconductor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9,2 mOhm; 94A; 80W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||||
DPAK
|
9,2mOhm | 94A | 80W | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC846-QR
Transistor PREBIAS NPN/PNP Transistor PREBIAS NPN/PNP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDG6308P
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||||||||||||
SC70-6
|
400mOhm | 600mA | 300mW | SC70-6 | ONSEMI | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDG6308P-P
SOT-363 MOSFETs ROHS
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT363
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
1,05Ohm | 1,1A | 280mW | SOT363 | TECH PUBLIC | 20V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||
|
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-12-31
Anzahl der Stücke: 200
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC846A-QR
Transistor PREBIAS NPN/PNP Transistor PREBIAS NPN/PNP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IRGP30B60KD-EP
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 304W; 3,5V~5,5V; 153nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
TO247AD
|
TO247 | International Rectifier | 153nC | 304W | 120A | 60A | 3,5V ~ 5,5V | -55°C ~ 150°C | 600V | 20V | ||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMC86244
N-MOSFET 150V 2.8A
|
||||||||||||||||||||||||||
WDFN08
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IRGP35B60PD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 308W; 3,0V~5,0V; 240nC; -55°C~150°C; IRGP35B60PDPBF;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO247AC
|
TO247AC | International Rectifier | 240nC | 308W | 120A | 60A | 3,0V ~ 5,0V | -55°C ~ 150°C | 600V | 20V | ||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMA1024NZ
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||||||||||||
MLP06
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC846ASQ-7-F
Transistor GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
SOT363
|
SOT363 | DIODES | 200mW | 220 | 100MHz | 100mA | 65V | 2xNPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMA507PZ
Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
MLP06
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMA86265P
Trans MOSFET P-CH Si 150V 1A 6-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
MLP06
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC846B JSMICRO
NPN-Transistor; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23
|
SOT23 | JSMICRO | 250mW | 450 | 100MHz | 100mA | 65V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMB3800N
Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin MLP EP
|
||||||||||||||||||||||||||
MLP08
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC846B SLKOR
NPN-Transistor; 450; 300mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
SOT23
|
SOT23 | SLKOR | 300mW | 450 | 300MHz | 100mA | 65V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC846B MLCCBASE
NPN-Transistor; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC846B,215; BC846B,235; BC846BLT1G; BC846BLT3G; BC846B RFG; BC846B-7-F; BC846B-TP;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
SOT23
|
SOT23 | MLCCBASE | 200mW | 450 | 100MHz | 100mA | 65V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMC8010DC
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 1,28 mOhm; 37A; 3W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
1,28mOhm | 37A | 30W | PQFN8 | ON SEMICONDUCTOR | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC846BPN
Transistor GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A Automotive 6-Pin TSSOP Transistor GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A Automotive 6-Pin TSSOP
|
||||||||||||||||||||||||||
SC-88
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-12-30
Anzahl der Stücke: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMS8320LDC
Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 8-Pin Power 56
|
||||||||||||||||||||||||||
Power56
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IRGP4066D-E
Trans IGBT ; 600V; 20V; 140A; 225A; 454W; 4,0V~6,5V; 225nC; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
TO247AD
|
TO247AD | International Rectifier | 225nC | 454W | 225A | 140A | 4,0V ~ 6,5V | -55°C ~ 175°C | 600V | 20V | ||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMS8333L
Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 56
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Power56
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMS86202
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power 56 EP FDMS86202ET120
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Power56
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC846BW DIOTEC
Transistor GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R Transistor GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT323
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMS86520
Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin Power 56 T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDMS86550
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power 56 EP T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC846C
NPN 65V 0.1mA 0.31mW Transistor NPN; 800; 310mW; 65V; 100mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
SOT23
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
SOT23 | 310mW | 800 | 300MHz | 100mA | 65V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
|
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-12-31
Anzahl der Stücke: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2027-12-31
Anzahl der Stücke: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FDN304P UMW
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDN304P Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
SOT23
|
100mOhm | 2,4A | 1,1W | SOT23 | UMW | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
