Transistoren (Ergebnisse: 10401)
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Gehäuse
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Hersteller
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Verlustleistung
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Stromverstärkungsfaktor
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Gate-Ladung
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Grenzfrequenz
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Maximale Verlustleistung
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Max. Kollektor-Strom
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Transistor-Typ
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Max. Gate-Source Spannung
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Montage
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Gate - Emitter Spannung
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Transistorsysteme [J/N]
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HYG035N10NS2B HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
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| 4mOhm | 180A | 220W | TO263 (D2PAK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HYG035N10NS2P HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
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| 4mOhm | 180A | 220W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HYG042N10NS1B HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
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| 4,2mOhm | 160A | 200W | TO263 (D2PAK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HYG043N10NS2B HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C;
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| 4,8mOhm | 164A | 258,6W | TO263 (D2PAK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HYG053N10NS1P HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
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| 5,5mOhm | 120A | 187,5W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HYG054N10NS1P HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 6,4mOhm; 194,8W; -55°C ~ 175°C;
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| 6,4mOhm | 120A | 194,8W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HYG065N15NS1W HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 165A; 7,5mOhm; 375W; -55°C ~ 175°C;
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| 7,5mOhm | 165A | 375W | TO247 | HUAYI | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HYG090N06LS1P HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 62A; 15,5mOhm; 75W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLZ44PBF; IRLZ44NPBF;
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| 15,5mOhm | 62A | 75W | TO220 | HUAYI | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HYG350N06LA1D HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR024PBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024TRPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF;
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| 44mOhm | 26A | 42,8W | TO252 (DPACK) | HUAYI | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BC857CQ-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23 GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BC857CQAZ Nexperia USA Inc.
BC857XQA SERIES - 45 V, 100 MA P BC857XQA SERIES - 45 V, 100 MA P
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DMP3017SFGQ-7
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Mosfet, P-Ch, 30V, 11.5A, Powerdi 3333
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BC858A SOT23 KINGTRONICS
Transistor PNP; 250; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMW120R140M1H
IMW120R140M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMW120R220M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A IMW120R220M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMW120R350M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A IMW120R350M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMW65R048M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R048M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMW65R072M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R072M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMW65R107M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R107M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMZ120R140M1H
IMZ120R140M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMZ120R220M1H
IMZ120R220M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMZ120R350M1H
IMZ120R350M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BC858B-7-F
Transistor GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMZA65R027M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R027M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMZA65R048M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R048M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMZA65R072M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R072M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMZA65R107M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R107M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BCP51TF
BCP51T/SOT223/SC-73 BCP51T/SOT223/SC-73
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPA057N08N3G
N-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 9,9 mOhm; 60A; 39W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPA057N08N3GXKSA1;
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| 9,9mOhm | 60A | 39W | TO220iso | Infineon Technologies | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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