Transistoren (Ergebnisse: 9573)
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Gehäuse
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Hersteller
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Verlustleistung
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Stromverstärkungsfaktor
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Grenzfrequenz
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Gate-Ladung
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Max. Drain-Source Spannung
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Maximale Verlustleistung
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Max. Kollektor-Strom [A]
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Max. Kollektor-Emitter-Spannung
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Max. Kollektor-Strom
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Max. Kollektor-Strom im Impuls
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Transistor-Typ
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Max. Gate-Source Spannung
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Montage
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Transistorsysteme [J/N]
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HGTG20N60B3D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 165W; 3,0V~6,0V; 135nC; -40°C~150°C;
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TO247
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TO247 | ON SEMICONDUCTOR | 135nC | 165W | 40A | 160A | 3,0V ~ 6,0V | -40°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTG30N60A4D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 240A; 463W; 4,5V~7,0V; 360nC; -55°C~150°C;
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TO247
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TO247 | ON SEMICONDUCTOR | 360nC | 463W | 75A | 240A | 4,5V ~ 7,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOT410L
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 11mOhm; 150A; 333W; -55 °C ~ 175 °C;
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TO220
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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11mOhm | 150A | 333W | TO220 | ALPHA&OMEGA | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | |||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-07-18
Anzahl der Stücke: 20
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YJL05N04A-F2-0000HF
N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C.
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SOT23
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60mOhm | 5A | 1,2W | SOT23 | YY | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTG30N60B3D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 220A; 208W; 4,2V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C;
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TO247
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TO247 | ON SEMICONDUCTOR | 250nC | 208W | 60A | 220A | 4,2V ~ 6,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOTF11S65L
N-MOSFET 650V 11A
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TO220FP
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399mOhm | 11A | 198W | TO220FP | ALPHA&OMEGA | 650V | aMOS | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HGTP12N60A4D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
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TO220
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TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 120nC | 167W | 54A | 96A | 5,6V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOTF4N90
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 3,6 Ohm; 4A; 37W; -55 °C ~ 150 °C;
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TO220iso
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3,6Ohm | 4A | 37W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOTF8N80
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,63 Ohm; 7,4A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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TO220iso
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1,63Ohm | 7,4A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 800V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOTL66810
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; +/-20V; 1,25 mOhm; 420A; 425 W; -55°C~175°C;
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1,25mOhm | 420A | 425W | 8-PowerSFN | ALPHA&OMEGA | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2SAR544R
Trans GP BJT PNP 80V 2.5A 1000mW T/R 2SAR544R-DIO;
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SOT23 | DIOTEC | 1W | 390 | 280MHz | 2,5A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 100A 333W TO263-3 TrenchStop -40+175°C
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies
IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 -40+175°C
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TO263 (D2PAK)
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOY2610E
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,5 mOhm; 36,5A; 23,5 W; -55°C~150°C;
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TO251 (IPACK)
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9,5mOhm | 36A | 23,5W | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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YJL02N10A-F2-0000HF
N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L YJL02N10A; YJL02N10A-YAN;
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SOT23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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310mOhm | 2A | 1,2W | SOT23 | YY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-30
Anzahl der Stücke: 3000
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YJD20N06A-F1-0000HF
N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
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TO252
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47mOhm | 20A | 34W | TO252 | YY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AP0704GMT
N-MOSFET 40V 62A 44,6W PMP6 AP0704GMT-HF AP0704GMT-HF-3 AP0704GMT-H
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PMPAK5x6
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10,5mOhm | 62A | 44,6W | PMPAK5x6 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC
SOT-23 MOSFETs RoHS Ähnlich zu: AP2310GN-HF-3; VBSemi AP2310GN-VB;
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SOT23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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125mOhm | 3A | 350mW | SOT23 | TECH PUBLIC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 3000
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AP2311GN
60V 4,5A 4,2W 1V 1 piece P-channel SOT-23 MOSFETs ROHS Äquivalent: AP2311GN-VB; AP2311GN-HF; AP2311GN-HF-3-B22D;
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SOT23
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85mOhm | 4,5A | 4,2W | SOT23 | VBS | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AP6679GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 75A; 89W; -55 °C ~ 150 °C;
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TO252
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15mOhm | 75A | 89W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SMMBT4403LT1G ON Semiconductor
Transistor GP BJT PNP 40V 0.9A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT PNP 40V 0.9A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AP9477GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 4.1A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
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SOT223
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110mOhm | 4,1A | 2,8W | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2SB1188 China
PNP -1500mA -32V 1200mW 150MHz PNP -1500mA -32V 1200mW 150MHz
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SOT89
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IGW20N60H3FKSA1
IGBT 600V 40A 170W
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TO247
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TO247 | |||||||||||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2SB1560 TO3P RoHS
2SB1560 Transistor PNP Bipolar Darlington 150V 50MHz 100W 10A TO3P 2SB1560 Transistor PNP Bipolar Darlington 150V 50MHz 100W 10A TO3P
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TO 3P
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TO 3P | PMC-Sierra | 100W | 20000 | 50MHz | 10A | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-07-30
Anzahl der Stücke: 120
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NSVMUN5111DW1T3G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363
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SOT23-3
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
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TO247
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2SC1318A TO92 LGE
Transistor: NPN; bipolar; 70V; 0,5A; 0,75W; TO92 2SC1318A-LGE;
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TO92
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TO92 | LGE | 750mW | 340 | 120MHz | 500mA | 70V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-20
Anzahl der Stücke: 1000
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2SC1384 TO92L LGE
Transistor: NPN; bipolar; 50V; 1A; 1W; TO92L 2SC1384-LGE;
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TO92
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TO92 | LGE | 1W | 340 | 200MHz | 1A | 50V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-20
Anzahl der Stücke: 1000
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APT68GA60LD40
IGBT-Transistor; PT; 600V; 300V; 198 nC; 68A; 520 W; -55°C~150°C;
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TO264
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4,7Ohm | 68A | 520W | TO264 | MICROCHIP | 600V | IGBT | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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