Transistoren (Ergebnisse: 10401)

1    294  295  296  297  298  299  300  301  302    347
Produkt Warenkorb
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Gehäuse
Hersteller
Verlustleistung
Stromverstärkungsfaktor
Gate-Ladung
Grenzfrequenz
Maximale Verlustleistung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Kollektor-Strom [A]
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
Max. Kollektor-Strom im Impuls
Max. Kollektor-Strom
Vorwärtsspannung [Vgeth]
Msx. Drain-Gate Spannung
Transistor-Typ
Betriebstemperatur (Bereich)
Max. Gate-Source Spannung
Kollektor-Emitter-Spannung
Montage
Gate - Emitter Spannung
Transistorsysteme [J/N]
FQPF47P06-YDTU TO220-FORMED LEADS P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 26mOhm; 30A; 62W; -55 °C ~ 175 °C; FQPF47P06YDTU;
FQPF47P06-YDTU TO220-FORMED LEADS TO220/3Q iso
  26mOhm 30A 62W TO220/3Q iso ON SEMICONDUCTOR 60V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 25V THT
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
FQPF85N06 Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
FQPF85N06 TO220AB
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
FQS4901TF 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 400V; 25V; 4,2 Ohm; 450mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C; FQS4901; FQS4901TF;
FQS4901TF SOP08
  4,2Ohm 450mA 2W SOP08 ON SEMICONDUCTOR 400V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
FQT1N60CTF_WS Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT1N60CTF-WS
FQT1N60CTF_WS SOT223
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC848CPDW1T1G Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
BC848CPDW1T1G SC-88
  SC-88 ONSEMI 380mW 800 100MHz 100mA 30V NPN/PNP -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BML6401 BORN Transistor P-Kanal MOSFET; 12V; 8V; 85mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C~150°C;
BML6401 BORN SOT23
                                                   
Artikel auf Anfrage erhältlich
85mOhm 4,3A 1,3W SOT23 BORN 12V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
                                                     
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-12-31
Anzahl der Stücke: 3000
                                               
BC856A YANGJIE TECHNOLOGY Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT23 BC856A-YAN
BC856A YANGJIE TECHNOLOGY SOT23
  SOT23 YY 200mW 250 100MHz 100mA 65V PNP -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
IRGS14C40L Trans IGBT ; 20A; 125W; 1,3V~2,2V; 27nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IRGS14C40LPBF; IRGS14C40LTRLPBF;
IRGS14C40L TO263 (D2PAK)
  TO263 (D2PAK) International Rectifier 27nC 125W 20A 1,3V ~ 2,2V -40°C ~ 175°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
G3R450MT17J N-Channel-SiCFET-MOSFET-Transistor; 1700 V; 15V; 585 mOhm; 9A; 91W; -55°C~175°C;
G3R450MT17J  
  585mOhm 9A 91W TO-263-7 GeneSiC 1700V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 15V SMD
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC856B SOT23 KINGTRONICS 65V 200mW 220@2mA, 5V 100mA PNP SOT-23 Einzelbipolartransistoren RoHS
BC856B SOT23 KINGTRONICS SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC856B-QR TRANS PREBIAS NPN/PNP Transistors - Bipolar (BJT) - Single
BC856B-QR  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC856B-QVL TRANS PREBIAS NPN/PNP Transistors - Bipolar (BJT) - Single
BC856B-QVL  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC856BMYL NXP Semiconductors NEXPERIA BC856 - 60 V, 100 MA PN NEXPERIA BC856 - 60 V, 100 MA PN
BC856BMYL NXP Semiconductors  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC856BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 BC856BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
BC856BQC-QZ Nexperia USA Inc.  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
HUF75329D3S Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A HUF75329D3ST (T/R)
HUF75329D3S TO252
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857AE6327HTSA1 BC857 Series PNP 45 V 100 mA Silicon AF Transistor Array - SOT-23-3 BC857 Series PNP 45 V 100 mA Silicon AF Transistor Array - SOT-23-3
BC857AE6327HTSA1 SOT23-3
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
HUF75321D3ST Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 2500pcs/T&R (HUF75321D3S TO252AA/RAIL *OBSOLETE)
HUF75321D3ST TO252
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
HUF75345G3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325 W; -55 °C ~ 175 °C;
HUF75345G3 TO247
  7mOhm 75A 325W TO247 ON SEMICONDUCTOR 55V 55V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857BE6327 INFINEON Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23
BC857BE6327 INFINEON SOT23-3
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857B MLCCBASE PNP-Transistor; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
BC857B MLCCBASE SOT23
  SOT23 MLCCBASE 200mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857BS-TP PNP SIGNAL TRANSISTOR, SOT-363 PNP SIGNAL TRANSISTOR, SOT-363
BC857BS-TP  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857BQ-7 DIODES Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SOT-523 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SOT-523
BC857BQ-7 DIODES SOT523
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857BV NXP Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666
BC857BV NXP SOT666
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857BW YANGJIE TECHNOLOGY Transistor: PNP; Bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323 BC857BW-YAN; BC857BW_ R2 _00001; BC857BW-R2;
BC857BW YANGJIE TECHNOLOGY SOT323
  SOT323 YY 200mW 475 100MHz 100mA 45V PNP -55°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857BW-QF Transistor PREBIAS NPN/PNP Transistor PREBIAS NPN/PNP
BC857BW-QF  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857BW-QX Transistor PREBIAS NPN/PNP Transistor PREBIAS NPN/PNP
BC857BW-QX  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857BWQ-13-F TRANSISTOR SOT323 TRANSISTOR SOT323
BC857BWQ-13-F SOT323
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
BC857C SLKOR PNP-Transistor; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
BC857C SLKOR SOT23
  SOT23 SLKOR 200mW 800 100MHz 100mA 45V PNP -65°C ~ 150°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
HYG020N04NR1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 220A; 2,4mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
HYG020N04NR1P HUAYI TO220
  2,4mOhm 200A 200W TO220 HUAYI 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 25V THT
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
HYG028N10NS1P HUAYI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C;
HYG028N10NS1P HUAYI TO220
  3,3mOhm 230A 300W TO220 HUAYI 100V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                                               
1    294  295  296  297  298  299  300  301  302    347