Transistoren (Ergebnisse: 10401)
| Produkt | Warenkorb |
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
Verlustleistung
|
Stromverstärkungsfaktor
|
Gate-Ladung
|
Grenzfrequenz
|
Maximale Verlustleistung
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Max. Kollektor-Strom [A]
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Max. Kollektor-Strom
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Transistor-Typ
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Montage
|
Gate - Emitter Spannung
|
Transistorsysteme [J/N]
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQPF47P06-YDTU TO220-FORMED LEADS
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 26mOhm; 30A; 62W; -55 °C ~ 175 °C; FQPF47P06YDTU;
|
||||||||||||||||||||||||||
| 26mOhm | 30A | 62W | TO220/3Q iso | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | |||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FQPF85N06
Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FQS4901TF
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 400V; 25V; 4,2 Ohm; 450mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C; FQS4901; FQS4901TF;
|
||||||||||||||||||||||||||
| 4,2Ohm | 450mA | 2W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 400V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
FQT1N60CTF_WS
Trans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT1N60CTF-WS
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC848CPDW1T1G
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
| SC-88 | ONSEMI | 380mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | NPN/PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BML6401 BORN
Transistor P-Kanal MOSFET; 12V; 8V; 85mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
85mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | BORN | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||
|
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-12-31
Anzahl der Stücke: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC856A YANGJIE TECHNOLOGY
Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT23 BC856A-YAN
|
||||||||||||||||||||||||||
| SOT23 | YY | 200mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IRGS14C40L
Trans IGBT ; 20A; 125W; 1,3V~2,2V; 27nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IRGS14C40LPBF; IRGS14C40LTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||||
| TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 27nC | 125W | 20A | 1,3V ~ 2,2V | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
G3R450MT17J
N-Channel-SiCFET-MOSFET-Transistor; 1700 V; 15V; 585 mOhm; 9A; 91W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
| 585mOhm | 9A | 91W | TO-263-7 | GeneSiC | 1700V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 15V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC856B SOT23 KINGTRONICS
65V 200mW 220@2mA, 5V 100mA PNP SOT-23 Einzelbipolartransistoren RoHS
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC856B-QR
TRANS PREBIAS NPN/PNP Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC856B-QVL
TRANS PREBIAS NPN/PNP Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC856BMYL NXP Semiconductors
NEXPERIA BC856 - 60 V, 100 MA PN NEXPERIA BC856 - 60 V, 100 MA PN
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC856BQC-QZ Nexperia USA Inc.
BC856BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3 BC856BQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
HUF75329D3S
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A HUF75329D3ST (T/R)
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857AE6327HTSA1
BC857 Series PNP 45 V 100 mA Silicon AF Transistor Array - SOT-23-3 BC857 Series PNP 45 V 100 mA Silicon AF Transistor Array - SOT-23-3
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
HUF75321D3ST
Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 2500pcs/T&R (HUF75321D3S TO252AA/RAIL *OBSOLETE)
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
HUF75345G3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325 W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||||
| 7mOhm | 75A | 325W | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | 55V | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857BE6327 INFINEON
Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857B MLCCBASE
PNP-Transistor; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
|
||||||||||||||||||||||||||
| SOT23 | MLCCBASE | 200mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857BS-TP
PNP SIGNAL TRANSISTOR, SOT-363 PNP SIGNAL TRANSISTOR, SOT-363
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857BQ-7 DIODES
Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SOT-523 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SOT-523
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857BV NXP
Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857BW YANGJIE TECHNOLOGY
Transistor: PNP; Bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323 BC857BW-YAN; BC857BW_ R2 _00001; BC857BW-R2;
|
||||||||||||||||||||||||||
| SOT323 | YY | 200mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857BW-QF
Transistor PREBIAS NPN/PNP Transistor PREBIAS NPN/PNP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857BW-QX
Transistor PREBIAS NPN/PNP Transistor PREBIAS NPN/PNP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857BWQ-13-F
TRANSISTOR SOT323 TRANSISTOR SOT323
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BC857C SLKOR
PNP-Transistor; 800; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857C,215; BC857C,235; BC857CLT1G; BC857CLT3G; BC857CE6327HTSA1; BC857CE6433HTMA1; BC857C RFG; BC857C-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||||
| SOT23 | SLKOR | 200mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
HYG020N04NR1P HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 220A; 2,4mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
| 2,4mOhm | 200A | 200W | TO220 | HUAYI | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | |||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
HYG028N10NS1P HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
| 3,3mOhm | 230A | 300W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||