Transistoren (Ergebnisse: 9573)
Produkt | Warenkorb |
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
Verlustleistung
|
Stromverstärkungsfaktor
|
Grenzfrequenz
|
Gate-Ladung
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Maximale Verlustleistung
|
Max. Kollektor-Strom [A]
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
|
Max. Kollektor-Strom
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Transistor-Typ
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Montage
|
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Gate - Emitter Spannung
|
Transistorsysteme [J/N]
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC2078 SLKOR
NPN Transistor; 200; 12W; 35V; 5A; 200MHz; -65°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO220 | SLKOR | 12W | 200 | 200MHz | 5A | 35V | NPN | -65°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
2SC2240 TOSHIBA
NPN 120V 100mA 300mW 100MHz NPN 120V 100mA 300mW 100MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
TO92 | TOSHIBA | 300mW | 700 | 100MHz | 100mA | 120V | NPN | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
2SC2712 China
NPN 150mA 50V 150mW 80MHz NPN 150mA 50V 150mW 80MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
AUIRF7103Q
Trans N-MOSFET Si 50V 3A Automotive AUIRF7103QTR
|
||||||||||||||||||||||||||
200mOhm | 3A | 2,4W | SOP08 | International Rectifier | 50V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
AUIRF7313QTR
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm; 6,9A; 2,4 W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||||
46mOhm | 6,9A | 2,4W | SOP08 | International Rectifier | 30V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
2SC2983 DIO
Transistor GP BJT NPN 160V 1.5A 15000mW; 2SC2983-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO252 (DPACK) | DIOTEC | 15W | 240 | 100MHz | 1,5A | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
AUIRFR9024NTRPBF-VB TO252 VBsemi Elec
Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 72mOhm; 30A; 34W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
72mOhm | 30A | 34W | TO252 | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
2SC3264 MT-200
NPN 230V 17A 200W 60MHz NPN 230V 17A 200W 60MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
MT-200 | Inchange Semiconductors | 200W | 50 | 60MHz | 17A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
2SC3356
SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT23 | TECH PUBLIC | 200mW | 250 | 7GHz | 100mA | 12V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IKB20N65EH5
TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT IKB20N65EH5ATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
AUIRGDC0250
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 141A 543000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube AUIRGDC0250AKMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
141A | 543W | TO220 | INFINEON | IGBT | -55°C ~ 150°C | THT | ||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
AUIRLR3636
MOSFET N-CH 60V 99A Automotive AUIRLR3636TRL
|
||||||||||||||||||||||||||
8,3mOhm | 99A | 143W | D-PAK | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BF245B
N-FET-Transistor; 30V; 30V; 30V; 15mA; 300 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF545B SMD SOT23; veraltet;
|
||||||||||||||||||||||||||
15mA | 300mW | TO92 | 30V | N-FET | 30V | -65°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 30A TO252-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
2SC3858 (komplet z 2SA1494)
2SA1494 Trans GP BJT PNP 200V 15A 3-Pin MT-200 2SC3858 Trans GP BJT NPN 200V 17A 3-Pin MT-200
|
||||||||||||||||||||||||||
MT-200 | Sanken | 200W | 50 | 20MHz | 17A | 200V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies
IGBT 600V 50A TO247-3 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BSC014N03MS INFINEON
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 1,75 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC014N03MSGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
1,75mOhm | 100A | 139W | TDSON-8 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BSC030P03NS3G Infineon
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 4,6 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC030P03NS3GAUMA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
4,6mOhm | 100A | 125W | TDSON08 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BSC060P03NS3E
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,6 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC060P03NS3EGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
9,6mOhm | 100A | 83W | TDSON-8 | Infineon Technologies | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BSC118N10NSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BSC120N03MSG INFINEON
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 14mOhm; 39A; 28W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC120N03MSGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
14mOhm | 39A | 28W | TDSON-8 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 650V 39A TO220-3 TrenchStop 5 -40+175°C
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BSL205NH6327 Infineon
2N-MOSFET 20V 2.5A 50mΩ 500mW BSL205NH6327XTSA1
|
||||||||||||||||||||||||||
85mOhm | 2,5A | 500mW | TSOP06 | INFINEON | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BSO615N Infineon
2N-MOSFET 60V 2.6A 150m? 2W BSO615NGHUMA1 BSO615NGXUMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IKQ75N120CT2XKSA1 Infineon Technologies
IGBT 1200V 150A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
2SC4793 YZPST
NPN-Transistor; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC4793,F(J; 2SC4793(F,M);
|
||||||||||||||||||||||||||
TO220iso | YZPST | 2W | 320 | 100MHz | 1A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BSS123 SOT23-3 CJ(Changjiang Electronics Tech)
N-Channel 100V 170mA 2V @ 1mA 6? @ 170mA,10V 360mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BSS123 SOT23 FUXINSEMI
Trans. N Channel SOT-23 MOSFETs 100V 200mA 3Ohm@10V,2mA 350mW ROHS
|
||||||||||||||||||||||||||
3Ohm | 200mA | 350mW | SOT23 | FUXINSEMI | 100V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
LBSS123LT1G SOT23 LRC
N-Channel 100V 170mA 2V @ 1mA 6? @ 100mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET
|
||||||||||||||||||||||||||
6Ohm | 170mA | 225mW | SOT23 | LRC | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|