Transistoren (Ergebnisse: 9573)
Produkt | Warenkorb |
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
Verlustleistung
|
Stromverstärkungsfaktor
|
Grenzfrequenz
|
Gate-Ladung
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Maximale Verlustleistung
|
Max. Kollektor-Strom [A]
|
Max. Kollektor-Emitter-Spannung
|
Max. Kollektor-Strom
|
Max. Kollektor-Strom im Impuls
|
Vorwärtsspannung [Vgeth]
|
Transistor-Typ
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Montage
|
Kollektor-Emitter-Spannung
|
Gate - Emitter Spannung
|
Transistorsysteme [J/N]
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUK9Y40-55B,115
Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
HYG350N06LA1D HUAYI
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR024PBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024TRPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||||
44mOhm | 26A | 42,8W | TO252 (DPACK) | HUAYI | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BC857C INFINEON
Transistor GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BC859CW DIOTEC
General Purpose PNP Transistor General Purpose PNP Transistor
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BC860B DIOTEC
Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BC860C SOT23 YFW
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
MMBTA14-7-F DIODES
Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Transistor Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP51TF
BCP51T/SOT223/SC-73 BCP51T/SOT223/SC-73
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPA60R400CEXKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 10.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPA65R150CFD
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 351 mOhm; 22,4A; 195,3W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA65R150CFDXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
351mOhm | 22,4A | 195,3W | TO220iso | Infineon Technologies | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IXGH30N60C3D1
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 220W; 3,0V~5,5V; 38nC; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
TO247AD | IXYS | 38nC | 220W | 60A | 150A | 3,0V ~ 5,5V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | ||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP53-16 GALAXY
PNP-Transistor; 250; 1,5W; 80V; 1A; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BCP5316TA; BCP5316TC; BCP53-16,115; BCP53-16,135; BCP53-16T1G; BCP53-16T3G; BCP53-16-TP; BCP5316H6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
SOT223 | GALAXY | 1,5W | 250 | 125MHz | 1A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP5516H6327 INFINEON
NPN 1A 60V 1.5W 100MHz NPN 1A 60V 1.5W 100MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP55TA
Transistor GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Transistor GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP56
NPN 1000mA 80V 1330mW 130MHz NPN 1000mA 80V 1330mW 130MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPB60R360P7
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R360P7ATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD075N03LG Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 11,4 mOhm; 50A; 47W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD075N03LGBTMA1; IPD075N03L; IPD075N03LGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
11,4mOhm | 50A | 47W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BCP69 China
PNP -1000mA -20V 625mW 140MHz PNP -1000mA -20V 625mW 140MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD15N06S2L64ATMA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 64mOhm; 19A; 47W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
64mOhm | 19A | 47W | DPAK | INFINEON | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD60R280P7ATMA1
Transistor: N-MOSFET ; unipolar; 600V; 12A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Leistungstransistor
|
||||||||||||||||||||||||||
280mOhm | 12A | 53W | DPAK | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BCR116WH6327 Infineon
NPN 50V 100mA 150MHz 250mW NPN 50V 100mA 150MHz 250mW
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD65R660CFDATMA2
LOW POWER_LEGACY Ähnlich zu: IPD65R660CFDBTMA1; Transistoren - FETs, MOSFETs - Singles
|
||||||||||||||||||||||||||
660mOhm | 6A | 63W | DPAK | INFINEON | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
DMP4047SK3-13
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPD80R280P7ATMA1
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BCR533 SOT23
Transistor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
BCV27 China
Darlington NPN 500mA 30V 200mW 220MHz Darlington NPN 500mA 30V 200mW 220MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-09-30
Anzahl der Stücke: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
BCV47 China
Darlington NPN 500mA 60V 200mW 220MHz Darlington NPN 500mA 60V 200mW 220MHz
|
||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-07-20
Anzahl der Stücke: 3000
|
|||||||||||||||||||||||||
IPI90R340C3
N-MOSFET 15A 900V 208W 0.34Ω
|
||||||||||||||||||||||||||
N-MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPP034N03LG
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP034N03LGXKSA1
|
||||||||||||||||||||||||||
4,7mOhm | 80A | 94W | TO220 | INFINEON | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
|||||||||||||||||||||||||
IPP041N12N3G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 120V; 20V; 4,1 mOhm; 120A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP041N12N3GXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
4,1mOhm | 120A | 300W | TO220 | Infineon Technologies | 120V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|