Transistoren (Ergebnisse: 10253)

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Transistorsysteme [J/N]
BUK9M23-80EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 10V; 58mOhm; 37A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m23-80ex Infos
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BUK9M23-80EX RoHS || BUK9M23-80EX || BUK9M23-80EX LFPAK33 (SOT1210)
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BUK9M23-80EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,1182 1,6217 1,4373 1,3759 1,3238
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5
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58mOhm 37A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 80V 80V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
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BUK9M23-80EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
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20 Euro überschreiten. 		58mOhm 37A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 80V 80V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M3R3-40H N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 9,2 mOhm; 80A; 101W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m3r3-40h Infos
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BUK9M3R3-40HX RoHS || BUK9M3R3-40H LFPAK33 (SOT1210)
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BUK9M3R3-40HX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
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9,2mOhm 80A 101W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 16V SMD
BUK9M52-40EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 101mOhm; 17,6A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m52-40ex Infos
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BUK9M52-40EX RoHS || BUK9M52-40EX || BUK9M52-40EX LFPAK33 (SOT1210)
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BUK9M52-40EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
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4
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101mOhm 17,6A 31W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
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Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BUK9M52-40EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
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20 Euro überschreiten. 		101mOhm 17,6A 31W LFPAK33 (SOT1210) NXP 40V 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9M5R2-30EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 10V; 9,8 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TBUK9m5r2-30ex Infos
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BUK9M5R2-30EX RoHS || BUK9M5R2-30EX || BUK9M5R2-30EX LFPAK33 (SOT1210)
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0425 1,5626 1,3853 1,3262 1,2766
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5
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9,8mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 30V 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
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Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
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20 Euro überschreiten. 		9,8mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 30V 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V SMD
 
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Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BUK9M5R2-30EX Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2766
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1500
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20 Euro überschreiten. 		9,8mOhm 70A 79W LFPAK33 (SOT1210) NXP 30V 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUK9V13-40HX 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
Micros Symbol: TBUK9V13-40HX Infos
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BUK9V13-40HX RoHS || BUK9V13-40HX LFPAK56D
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9V13-40HX RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK56D
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,9479 1,4799 1,3759 1,2766 1,2175
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5/10
Menge (mehrere 1)
13mOhm 42A 46W LFPAK56D NXP 40V 2xN-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V Surface Mount
BUK9Y21-40E NEXPERIA N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 42,2 mOhm; 33A; 45W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK9Y21-40E,115;
Micros Symbol: TBUK9y21-40e Infos
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BUK9Y21-40E,115 RoHS || BUK9Y21-40E NEXPERIA LFPAK
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NXP Hersteller-Teilenummer:
BUK9Y21-40E,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
LFPAK
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5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1418 0,7588 0,6288 0,5674 0,5437
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20
Menge (mehrere 1)
42,2mOhm 33A 45W LFPAK NXP 40V 40V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 10V SMD
BUZ11-NR4941 N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
Micros Symbol: TBUZ11 Infos
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BUZ11-NR4941 RoHS || BUZ11-NR4941 || BUZ11-NR4941 TO220
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ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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6588 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 200+ 600+
Preis netto (EUR) 1,1513 0,7659 0,5934 0,5603 0,5485
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50
Menge (mehrere 1)
40mOhm 30A 75W TO220 ON SEMICONDUCTOR 50V 50V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
3950 Stk.
Anzahl der Stücke 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5485
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50
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20 Euro überschreiten. 		40mOhm 30A 75W TO220 ON SEMICONDUCTOR 50V 50V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
6390 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5485
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10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		40mOhm 30A 75W TO220 ON SEMICONDUCTOR 50V 50V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BUZ11-NR4941 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
900 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5485
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		40mOhm 30A 75W TO220 ON SEMICONDUCTOR 50V 50V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
C2M0160120D Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 25V; 400 mOhm; 17,7A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC2M0160120D Infos
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C2M0160120D RoHS || C2M0160120D Cree/Wolfspeed TO247
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C2M0160120D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 12,6191 11,2645 10,2905 9,4064 8,9501
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
400mOhm 17,7A 125W TO247 Cree 1200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
C2M0280120D Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 20V; 530 mOhm; 10A; 62,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC2M0280120D Infos
Datenblatt
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C2M0280120D RoHS || C2M0280120D Wolfspeed TO247
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C2M0280120D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 40+
Preis netto (EUR) 8,5199 7,5672 6,8958 6,3025 5,7966
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
530mOhm 10A 62,5W TO247 Cree 1200V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
C2M1000170J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1700 V; 20V; 2Ohm; 5,3A; 78W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C2M1000170J-TR;
Micros Symbol: TC2M1000170J Infos
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C2M1000170J RoHS || C2M1000170J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C2M1000170J RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 8,6003 7,6830 7,0282 6,4443 6,0140
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
2Ohm 5,3A 78W D2PAK/7 Cree 1700V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
C3M0065090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 90mOhm; 35A; 113W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC3M0065090J Infos
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C3M0065090J RoHS || C3M0065090J || C3M0065090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0065090J RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Preis netto (EUR) 17,9759 16,2077 14,9216 13,7373 13,1203
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
90mOhm 35A 113W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
 
Hersteller:
WOLFSPEED Hersteller-Teilenummer:
C3M0065090J Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7  
Externes Lager:
438 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 13,1203
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		90mOhm 35A 113W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
C3M0120090D Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 23A; 97W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC3M0120090D Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
C3M0120090D RoHS || C3M0120090D || C3M0120090D Cree/Wolfspeed TO247
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0120090D RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 9,8721 8,8178 8,0660 7,3970 6,9029
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
170mOhm 23A 97W TO247 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
 
Hersteller:
WOLFSPEED Hersteller-Teilenummer:
C3M0120090D Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
1860 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,9029
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		170mOhm 23A 97W TO247 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
C3M0120090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 170 mOhm; 22A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: C3M0120090J-TR;
Micros Symbol: TC3M0120090J Infos
Datenblatt
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C3M0120090J RoHS || C3M0120090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0120090J RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
Datenblatt
Auf Lager:
2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
Preis netto (EUR) 10,1629 9,0778 8,3048 7,6145 7,1062
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Standard-Verpackung:
2
Menge (mehrere 1)
170mOhm 22A 83W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
C3M0280090J Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 15V; 385 mOhm; 22A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TC3M0280090J Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
C3M0280090J RoHS || C3M0280090J Cree/Wolfspeed D2PAK/7
Hersteller:
CREE Hersteller-Teilenummer:
C3M0280090J RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK/7
Datenblatt
Auf Lager:
1 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 5,8462 4,7895 4,2221 3,9810 3,9243
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
385mOhm 22A 50W D2PAK/7 Cree 900V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 15V THT
IRG4BC20FD IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FDPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc20fd Infos
Datenblatt
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IRG4BC20FDPBF RoHS || IRG4BC20FD TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC20FDPBF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,2623 2,8084 2,5389 2,4089 2,3309
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 40nC 60W 16A 64A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
IRG4BC20KD-S Trans IGBT ; 600V; 20V; 16A; 32A; 60W; 3,0V~6,0V; 51nC; -55°C~150°C; Äquivalent: IRG4BC20KD-SPBF; IRG4BC20KDSTRLP; IRG4BC20KDSTRRP;
Micros Symbol: TIRG4bc20kd-s Infos
Datenblatt
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IRG4BC20KD-S RoHS || IRG4BC20KD-S TO263 (D2PAK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC20KD-S RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5602 1,2435 1,0638 0,9574 0,9172
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO263 (D2PAK) International Rectifier 51nC 60W 16A 32A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C 600V 20V
IRG4BC20S IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20SPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc20s Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRG4BC20S RoHS || IRG4BC20S TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC20S RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7636 1,3097 1,1442 1,0638 1,0378
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 40nC 60W 19A 38A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
IRG4BC30FD-S IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TIRG4bc30fd-s Infos
Datenblatt
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IRG4BC30FD-S RoHS || IRG4BC30FD-S TO263 (D2PAK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC30FD-S RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
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27 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,5011 2,0969 1,8652 1,7210 1,6666
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO263 (D2PAK) International Rectifier 77nC 100W 31A 120A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C SMD 600V 20V
CPH-6445-TL-W N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 185 mOhm; 3,5A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: CPH6445-TL-W;
Micros Symbol: TCPH6445 Infos
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CPH6445-TL-E RoHS || CPH-6445-TL-W CPH6
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
CPH6445-TL-E RoHS Präzisionsgehäuse:
CPH6
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30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,4420 1,0071 0,8298 0,7707 0,7588
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
185mOhm 3,5A 1,6W CPH6 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IRG4BC30K IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TIRG4bc30k Infos
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IRG4BC30K RoHS || IRG4BC30K TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC30K RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4775 1,0354 0,8794 0,8038 0,7778
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 100nC 100W 28A 58A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
CSD16406Q3 Texas Instruments N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 16V; 7,4 mOhm; 79A; 46W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TCSD16406q3 Infos
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CSD16406Q3 RoHS || CSD16406Q3 Texas Instruments SON08
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD16406Q3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SON08
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 40+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3475 0,9432 0,7636 0,7187 0,7092
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Standard-Verpackung:
40
Menge (mehrere 1)
7,4mOhm 79A 46W SON08 Texas Instruments 25V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 16V SMD
CSD17308Q3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 16,5 mOhm; 44A; 28W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17308Q3T
Micros Symbol: TCSD17308q3 Infos
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CSD17308Q3 RoHS || CSD17308Q3 VSON-CLIP08(3.3x3.3)
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD17308Q3 RoHS Präzisionsgehäuse:
VSON-CLIP08(3.3x3.3)
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8440 0,5343 0,4208 0,3830 0,3664
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Standard-Verpackung:
1050
Menge (mehrere 1)
16,5mOhm 44A 28W VSON-CLIP08(3.3x3.3) Texas Instruments 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
IRG4BC30KD IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30KDPBF;
Micros Symbol: TIRG4bc30kd Infos
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IRG4BC30KD RoHS || IRG4BC30KD TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
IRG4BC30KD RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
27 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,2812 2,9290 2,7162 2,5791 2,5248
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 International Rectifier 100nC 100W 28A 58A 3,0V ~ 6,0V -55°C ~ 150°C THT 600V 20V
CSD17313Q2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 42mOhm; 19A; 17W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17313Q2T
Micros Symbol: TCSD17313q2 Infos
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CSD17313Q2 RoHS || CSD17313Q2 WSON06(2x2)
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD17313Q2 RoHS Präzisionsgehäuse:
WSON06(2x2)
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6265 0,3972 0,3120 0,2837 0,2719
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
42mOhm 19A 17W WSON06(2x2) Texas Instruments 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
CSD17576Q5B N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2,9 mOhm; 184A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17576Q5BT
Micros Symbol: TCSD17576q5b Infos
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CSD17576Q5B RoHS || CSD17576Q5B VSON-CLIP08B(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD17576Q5B RoHS Präzisionsgehäuse:
VSON-CLIP08B(6x5)
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,2269 0,8558 0,7045 0,6548 0,6454
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
2,9mOhm 184A 125W VSON-CLIP08B(6x5) Texas Instruments 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
CSD17581Q3A N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,7 mOhm; 101A; 63W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17581Q3AT
Micros Symbol: TCSD17581q3a Infos
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CSD17581Q3A RoHS || CSD17581Q3A VSONP08(3.3x3.3)
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD17581Q3A RoHS Präzisionsgehäuse:
VSONP08(3.3x3.3)
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20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,1986 0,8392 0,7139 0,6525 0,6312
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
4,7mOhm 101A 63W VSONP08(3.3x3.3) Texas Instruments 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
CSD17581Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,2 mOhm; 123A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; CSD17581Q5AT
Micros Symbol: TCSD17581q5a Infos
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CSD17581Q5A RoHS || CSD17581Q5A VSONP08(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD17581Q5A RoHS Präzisionsgehäuse:
VSONP08(6x5)
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8818 0,5579 0,4397 0,4019 0,3830
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
4,2mOhm 123A 83W VSONP08(6x5) Texas Instruments 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
CSD18503Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 6,2 mOhm; 121A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18503Q5AT
Micros Symbol: TCSD18503q5a Infos
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CSD18503Q5A RoHS || CSD18503Q5A VSONP08(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD18503Q5A RoHS Präzisionsgehäuse:
VSONP08(6x5)
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2837 0,9007 0,7636 0,6997 0,6761
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
6,2mOhm 121A 120W VSONP08(6x5) Texas Instruments 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
CSD18504Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 9,8 mOhm; 75A; 77W; -55 °C ~ 150 °C; CSD18504Q5AT
Micros Symbol: TCSD18504q5a Infos
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CSD18504Q5A RoHS || CSD18504Q5A VSONP08(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD18504Q5A RoHS Präzisionsgehäuse:
VSONP08(6x5)
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3286 0,9314 0,7919 0,7234 0,6997
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
9,8mOhm 75A 77W VSONP08(6x5) Texas Instruments 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
CSD18531Q5A N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,8 mOhm; 134A; 156 W; -55 °C ~ 175 °C; CSD18531Q5AT
Micros Symbol: TCSD18531q5a Infos
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CSD18531Q5A RoHS || CSD18531Q5A VSONP08(6x5)
Hersteller:
Texas Instruments Hersteller-Teilenummer:
CSD18531Q5A RoHS Präzisionsgehäuse:
VSONP08(6x5)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4160 0,9905 0,8416 0,7707 0,7447
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
5,8mOhm 134A 156W VSONP08(6x5) Texas Instruments 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
1    32  33  34  35  36  37  38  39  40    342