BAV70 SOT23 NXP switching diode 

BAV70 – Charakterystyka ogólna i konstrukcja

Model BAV70 to zaawansowany półprzewodnikowy element dyskretny, sklasyfikowany jako podwójna dioda przełączająca o dużej szybkości działania (high-speed switching diode). Półprzewodnik ten charakteryzuje się architekturą sprzętową ze wspólną katodą (dual common cathode), co oznacza, że wewnętrzne katody obu zintegrowanych diod są fizycznie połączone w jedno centralne wyprowadzenie. Komponent został starannie zoptymalizowany pod kątem nowoczesnych procesów produkcyjnych i jest zamknięty w miniaturowej obudowie z trwałego tworzywa sztucznego typu SOT23 (znanej również w obowiązującym standardzie JEDEC jako obudowa TO-236AB), która jest w pełni przystosowana do zautomatyzowanego montażu powierzchniowego (SMD) bezpośrednio na płytkach obwodów drukowanych. Cała obudowa posiada łącznie trzy główne wyprowadzenia: wyprowadzenia 1 oraz 2 stanowią odrębne anody, natomiast wyprowadzenie 3 to ich zintegrowana, wspólna katoda. Sufiks „215” w systemowej nazwie precyzyjnie definiuje logistyczną metodę pakowania – układ dostarczany jest na taśmie o szerokości 8mm z rastrem wynoszącym 4mm, która z kolei jest nawinięta na rolkę przemysłową o całkowitej pojemności 3000sztuk. Dzięki starannie zaprojektowanej strukturze złącza, układ wykazuje zminimalizowane wartości prądu upływu oraz umożliwia wysoce stabilną pracę w bardzo szerokim przedziale występujących temperatur otoczenia.

BAV70 – Parametry i specyfikacja techniczna

Poniższe zestawienie precyzyjnie prezentuje graniczne wartości dopuszczalne oraz kluczowe parametry elektryczne elementu BAV70, zdefiniowane dla pojedynczej diody w standardowej temperaturze otoczenia 25°C:

• Maksymalne powtarzalne napięcie wsteczne (VRRM): 100V.
• Ciągłe napięcie wsteczne (VR): maksymalnie 100V.
• Maksymalny ciągły prąd przewodzenia (IF): 215mA (parametr ściśle określony dla temperatury otoczenia do 25°C).
• Powtarzalny szczytowy prąd przewodzenia (IFRM): maksymalnie 450mA.
• Niepowtarzalny szczytowy prąd przewodzenia w impulsie (IFSM): 4A dla zdefiniowanego czasu trwania impulsu 1us; 1A dla obciążenia trwającego 1ms; 0.5A dla obciążenia impulsowego wynoszącego 1s.
• Całkowita maksymalna moc strat (Ptot): 250mW dla układu zmontowanego bezpośrednio na standardowej płytce drukowanej FR4.
• Czas odzyskiwania zdolności zaporowej (trr): maksymalnie 4ns (przy przełączaniu z wartości IF=10mA na IR=10mA, określone dla referencyjnego obciążenia RL=100Ω).
• Gwarantowane napięcie przewodzenia (VF): typowo 715mV przy ustabilizowanym prądzie 1mA; 855mV przy wartości 10mA; 1V przy obciążeniu 50mA; 1.25V przy najwyższym testowanym prądzie 150mA.
• Obserwowany prąd wsteczny (IR): nie więcej niż 0.5uA przy stałym napięciu wstecznym 80V oraz maksymalnie 30nA przy stałym napięciu 25V.
• Parametr prądu wstecznego zmierzony w podwyższonej temperaturze (Tj=150°C): 100uA przy ciągłym zasilaniu napięciem 80V.
• Całkowita pojemność złącza diody (Cd): maksymalnie 1.5pF (precyzyjny pomiar przeprowadzony przy napięciu VR=0V oraz referencyjnej częstotliwości 1MHz).
• Maksymalna dopuszczalna robocza temperatura wewnętrznego złącza (Tj): do 150°C.
• Gwarantowany przedział temperatur otoczenia dla w pełni bezpiecznej pracy układu (Tamb): od skrajnych -65°C do maksymalnie 150°C.
• Wyznaczona rezystancja termiczna pojawiająca się pomiędzy wewnętrznym złączem a zewnętrznym otoczeniem (Rth(j-a)): 500K/W.

BAV70 – Zastosowanie w układach elektronicznych

Dzięki wybitnie precyzyjnym parametrom elektrycznym, krzemowy układ BAV70 stanowi niezawodne oraz nieskomplikowane rozwiązanie projektowe dedykowane przede wszystkim do implementacji w nowoczesnych, szybkich obwodach przełączających. Podstawowe zastosowanie rynkowe tego zaawansowanego komponentu obejmuje w głównej mierze dyskretne układy formowania skomplikowanych impulsów oraz nowoczesne cyfrowe bramki logiczne, gdzie fundamentalne znaczenie odgrywa zminimalizowany niemal do minimum całkowity czas reakcji wykorzystywanego półprzewodnika. Niezwykle krótki czas odzyskiwania zdolności zaporowej, wynoszący maksymalnie 4ns, w bezpośrednim połączeniu z bardzo niską pojemnością własną złącza utrzymującą się na doskonałym poziomie 1.5pF sprawia, że analizowana dioda wręcz idealnie sprawdza się w wysoce specjalistycznych systemach komunikacyjnych pracujących z nieustannie dużymi częstotliwościami. Półprzewodnikowy komponent BAV70 jest niezwykle powszechnie montowany na obwodach drukowanych jako sprzętowy element ochronny skutecznie zabezpieczający strategiczne linie sygnałowe przed zjawiskiem niespodziewanych zjawisk przepięciowych, chroniąc w ten niezawodny sposób wysoce kosztowne oraz niesamowicie wrażliwe układy scalone sterujące procesami logicznymi. Konstrukcyjna konfiguracja ze wspólną katodą stanowi niesłychanie istotne ułatwienie sprzętowe dla inżynierów projektujących specjalistyczne dyskretne bramki logiczne typu OR oraz rozbudowane analogowe obwody sumujące sygnały zmienne. Prezentowany element elektroniczny znajduje swoje doskonałe zastosowanie również w precyzyjnych układach detekcji krytycznych poziomów napięcia prądu oraz jako blokujący moduł separacyjny w torach sygnałowych wymagających twardego, sprzętowego odseparowania od siebie poszczególnych ścieżek zasilania układów podrzędnych. Ekstremalnie szeroki technologiczny przedział w pełni bezpiecznej temperatury pracy od -65°C aż do docelowych 150°C pozwala na bardzo długotrwałe i całkowicie bezawaryjne operacyjne wykorzystanie diody BAV70 w specjalistycznych systemach kontrolno-pomiarowych, skomplikowanych urządzeniach telekomunikacyjnych oraz w obciążonych sterownikach pracujących nieprzerwanie w sektorach przemysłowych.