CY7C1049GN30-10VXI
| Case: | SOJ36 |
| Supply voltage range: | 2,2~3,6V |
| RAM memory: | 512kB |
| Manufacturer: | Cypress |
| Architecture: | 8-bit |
| ADC: | NO |
| Operating temperature (range): | -40°C ~ 85°C |
| Quantity of pcs. | 1+ | 4+ | 12+ | 36+ | 120+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (EUR) | 4,4144 | 3,5968 | 3,2633 | 3,0757 | 2,9622 |
| Quantity of pcs. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (EUR) | 4,4144 | 3,5320 | 3,1869 | 3,0039 | 2,9622 |
| Case: | SOJ36 |
| Supply voltage range: | 2,2~3,6V |
| RAM memory: | 512kB |
| Manufacturer: | Cypress |
| Architecture: | 8-bit |
| ADC: | NO |
| Operating temperature (range): | -40°C ~ 85°C |
| SPI interface: | NO |
| TWI (I2C) interface: | NO |
| UART/USART interface: | NO |
| CAN interface: | NO |
| DAC: | NO |
| ETHERNET interface: | NO |
| Encryption: | NO |
| USB interface: | NO |
K6R4008V1D-KI10 - pamięć SRAM wykonana w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 8-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Select (~CS, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).
Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 8-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 75mA max;
tryb standby: 20mA max (TTL), 5mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 3.3V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
Pamięć ta znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.