CY7C1049GN30-10VXI
| Obudowa: | SOJ36 |
| Zakres napięcia zasilania: | 2,2~3,6V |
| Pamięć RAM: | 512kB |
| Producent: | Cypress |
| Architektura: | 8-bit |
| Interfejs SPI: | NIE |
| Interfejs TWI (I2C): | NIE |
| ilość szt. | 1+ | 4+ | 12+ | 36+ | 120+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 19,0600 | 15,5300 | 14,0900 | 13,2800 | 12,7900 |
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 19,0600 | 15,2500 | 13,7600 | 12,9700 | 12,7900 |
| Obudowa: | SOJ36 |
| Zakres napięcia zasilania: | 2,2~3,6V |
| Pamięć RAM: | 512kB |
| Producent: | Cypress |
| Architektura: | 8-bit |
| Interfejs SPI: | NIE |
| Interfejs TWI (I2C): | NIE |
| Interfejs UART/USART: | NIE |
| Przetwornik A/D: | NIE |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 85°C |
| Interfejs CAN: | NIE |
| Interfejs CRYPT: | NIE |
| Interfejs ETHERNET: | NIE |
| Interfejs USB: | NIE |
| Przetwornik D/A: | NIE |
K6R4008V1D-KI10 - pamięć SRAM wykonana w technologii CMOS. Informacja jest wprowadzana do pamięci i wydawana z niej w sposób asynchroniczny w postaci słów 8-bitowych. Wybór trybu pracy pamięci odbywa się za pomocą sygnałów: Chip Select (~CS, uaktywnienie pamięci), Write Enable (~WE, uaktywnienie zapisu), Output Enable (~OE, uaktywnienie odczytu).
Wybrane właściwości:
- pojemność: 4Mbit;
- organizacja: 8-bit;
- czas dostępu: 10ns;
- wyjścia / wejścia kompatybilne z TTL;
- trójstanowe wyjścia – możliwość łączenia ze sobą wielu kostek pamięci;
- pobór prądu:
tryb pracy aktywnej: 75mA max;
tryb standby: 20mA max (TTL), 5mA max (CMOS);
- napięcie zasilania: 3.3V;
- temperatura pracy: -40÷85°C;
Pamięć ta znajduje zastosowanie tam, gdzie wymagana jest duża gęstość zapisu danych oraz duża szybkość przetwarzania.