2N7002 LGE

Micros part number: T2N7002 LGE
Package: SOT23
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 115mA
Maksymalna tracona moc [W]: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: LGE Manufacturer part number: 2N7002 RoHS Package: SOT23t/r In stock: 2380 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,6160 0,2930 0,1650 0,1250 0,1120
Add to comparison tool

Standard packaging:
3000
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 7,5Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 115mA
Maksymalna tracona moc [W]: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD